Um método de imagem não destrutivo sem contato para concentração de dopante resolvida espacialmente, [2.2] N d, e resistividade elétrica, ρ, de wafers de silício tipo n e pusando imagens de portadora lock-in em várias intensidades de irradiação de laser. Informações de amplitude e fase de locais de wafer com resistividade conhecida foram empregadas para derivar um fator de calibração para determinação precisa da taxa absoluta de geração de portadores. Um modelo de domínio de frequência baseado na natureza não linear de sinais radiométricos de fotoportadores foi usado para extrair imagens de densidade dopante. Verificou-se que as variações laterais na resistividade de um wafer do tipo n e do tipo p obtidas por meio desta metodologia estão em excelente acordo com aquelas obtidas com medições convencionais de sonda de 4 pontos. Este método totalmente óptico sem contato pode ser usado como uma ferramenta não destrutiva para medições de densidade de dopagem e resistividade elétrica e suas imagens em grandes áreas de semicondutores. Nd,

Fonte: IOPscience

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