Exame topográfico e químico de raios X de Si: Ge monocristais contendo 1,2 a% e 3,0 a% Ge, juntamente com medições precisas de parâmetros de rede. Contrastes de difração na forma de "quase-círculos" concêntricos (estriações), provavelmente devido à distribuição não uniforme dos átomos de Ge, foram observados em topografias de projeção.

Os padrões de gravação revelaram faixas correspondentes a estriações e deslocamentos como poços de etch. A região central do cristal central (livre de estrias) exibiu uma rede cristalina fortemente perturbada por microdefeitos, como foi concluído a partir da análise de topografia de seção. As medições dos parâmetros de rede mostraram a não uniformidade da distribuição de Átomos ge através das amostras.

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