relatamos o crescimento de epitaxia por feixe químico aux-assistido de nanofios de zincblenda insegura sem defeitos. o crescido insb segmentos são as seções superiores de heteroestruturas inas / insb em substratos inas (111) b. mostramos, através da análise de tempo, que o zincblende insb pode ser cultivado sem quaisquer defeitos de cristal, tais como falhas de empilhamento ou planos de junção.

A análise de mapa de deformação demonstra que o segmento insb está quase relaxado a poucos nanômetros da interface. Através de estudos de pós-crescimento, descobrimos que a composição de partículas de catalisador é auin2, e pode ser variada para uma liga de auin por meio do resfriamento das amostras sob fluxo de tdmasb.

fonte: iopscience

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