na última década, os compostos iii-n atraíram muito interesse devido às suas aplicações em optoelectrônica azul, violeta e ultravioleta. A maioria dos dispositivos e pesquisas utilizam safira como substrato para epitaxia de nitretos. no entanto, essas epi-estruturas contêm uma densidade de dislocação muito alta induzida pelo desajuste de rede de 16% entre gan e safira. Em nosso laboratório, cultivamos cristais únicos de gata com alta pressão hidrostática de 10 kbar de nitrogênio. estes cristais têm uma densidade de deslocamento ultra-baixa e são utilizados com sucesso para a construção de diodos de laser violeta. Este trabalho apresenta dados experimentais de difractometria de raios-x de alta resolução e fotoluminescência. Este trabalho consiste em três partes: (i) comparação entre substratos gan e modelos gan / zafira; (ii) influência de algan camadas em curvatura de amostras; (iii) microestrutura de poços quânticos múltiplos ingan / gan .

soource: iopscience

Para mais informações, visite nosso site : http://www.semiconductorwafers.net ,

envie-nos e-mail para angel.ye@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com