Os monocristais GaSb dopados com te são estudados medindo o efeito Hall, os espectros de transmissão infravermelha (IV) e de fotoluminescência (PL). Verifica-se que o GaSb n-type com transmitância IR pode ser obtido em até 60% pelo controle crítico da concentração Te-doping e compensação elétrica. A concentração dos defeitos associados ao receptor nativo é aparentemente baixa no GaSb em comparação com aqueles em GaSb dopado e fortemente dopado com Te. O mecanismo para a alta transmitância IR é analisado considerando o processo de absorção óptica envolvido pelo defeito.
Fonte: IOPscience
Para mais informações sobre nossos produtos como estrutura de cristal de nitreto de silício, wafers de zona flutuante , bolacha de carboneto de silício Por favor, visite o nosso web site:www.semiconductorwafers.net ,
Envie-nos um email paraangel.ye@powerwaywafer.com oupowerwaymaterial@gmail.com
informações de contato
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
