xiamen powerway avançado materialco., ltd., um dos principais fornecedores de estrutura epitaxial diodo laser e outrosprodutos e serviços relacionados anunciaram a nova disponibilidade do tamanho 3 ” está em produção em massa em 2017. este novo produto representa um naturaladição à Pam-Xiamen linha de produtos.

dr. Shaka, disse: \"estamos satisfeitos poroferecer estrutura epitaxial diodo laser para nossos clientes, incluindo muitos que sãodesenvolvimento melhor e mais confiável para laser dpss. nosso diodo laser epitaxialestrutura tem excelentes propriedades, perfil de dopagem sob medida para baixa absorçãoperdas e operação de modo único de alta potência, região ativa otimizada para 100%eficiência quântica interna, projeto especial de guia de ondas amplo (bwg) paraoperação de energia e / ou baixa divergência de emissão para acoplamento de fibra eficaz.a disponibilidade melhora o crescimento do boule e os processos de wafering. \"e\"nossos clientes agora podem se beneficiar do aumento do rendimento do dispositivo esperadoao desenvolver transistores avançados em um substrato quadrado. nosso diodo laserestrutura epitaxial são naturais por produtos de nossos esforços contínuos, atualmenteestamos dedicados a desenvolver continuamente produtos mais confiáveis \".

Pam-Xiamen melhor laserlinha de produtos de estrutura epitaxial diodo tem beneficiado de forte tecnologia, suporteda universidade nativa e centro de laboratório.

agora mostra umexemplo da seguinte forma:

808nm

905nm

sobre xiamenpowerway co material avançado., ltd

encontrado em 1990, xiamen powerway avançadomaterial co., ltd (pam-xiamen) é um dos principais fabricantes de compostosmaterial semicondutor na china. pam-xiamen desenvolve crescimento avançado de cristaise epitaxia, processos de fabricação, substratos projetados edispositivos semicondutores. As tecnologias do pam-xiamen permitem um melhor desempenho emenor custo de fabricação de wafer semicondutor.

sobre diodo laserestrutura epitaxial

a estrutura epitaxial diodo laser écrescido usando uma das técnicas de crescimento de cristal, geralmente a partir de um nsubstrato dopado, e crescimento da camada ativa dopada com i, seguida darevestimento e uma camada de contato. a camada ativa na maioria das vezes consiste em quantumpoços, que proporcionam uma menor corrente de entrada e maior eficiência.

q & a

c: obrigado porsua mensagem e informação.

é muitointeressante para nós.

1. diodo de laser 3polegada estrutura epitaxial para 808nm qty: 10 nos.

você poderia nos enviar?espessura de camadas e informações de dopagem para 808nm.

especificação:

Laser 1.generic de 3 ”estrutura epitaxial para emissão de 808nm

Quantum i.gaascomprimento de onda bem pl: 799 +/- 5 nm

nós precisamos de picoemissão pl: 794 +/- 3 nm, você poderia fabricá-lo?

comprimento de onda ii.pluniformidade: \u0026 lt; = 5nm

iii. defeitodensidade: \u0026 lt; 50 cm -2

iv. nível de dopinguniformidade: \u0026 lt; = 20%

v. nível de dopingtolerância: \u0026 lt; = 30%

vi. fração molar(x) tolerância: +/- 0,03

vii.epilayeruniformidade da espessura: \u0026 lt; = 6%

viii.thicknesstolerância: +/- 10%

ix.n + gaassubstrato

x.substrateepd \u0026 lt; 1 e3 cm -2

xi.substratetransportadora c: 0,5-4,0x e18 cm-2

xii.major flatorientação: (01-1) ± 0.05º

nós também precisamos de vocêproposta de 980 e 1550nm epi-wafers.as notado abaixo (na suaweb-site) ingaasp / ingaas em substratos inp

nós provemosingaasp / ingaas epi em substratos de inp como se segue:

1. estrutura:1.55um ingaasp qw laser

você poderia informartambém sobre os parâmetros ld de lds fabricados para suas pi-wafers padrão?

o que é p saídapotência de ld em cw com emissor único com largura da área emissora = 90-100um,

por exemplo oubeicinho para barra ld com largura da área emissora = 10mm?

ansiosopara sua resposta rápida às perguntas acima.

p: veja abaixopor favor:

808nm

905nm

c: somosinteressado em epi-wafer com comprimento de onda de 808 nm.

por favor, envie por favornos amostras de avaliação para fins de avaliação e ajuste

doprocesso tecnológico porque a nossa aplicação é dpss laser e devemos

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para maisinformações, por favor visite nosso website: http://www.semiconductorwafers.net ,

envie-noso email em angel.ye@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com