ainda é um grande desafio para dispositivos baseados em semicondutores obterem um grande efeito de magnetorresistência (mr) sob um campo magnético baixo à temperatura ambiente. Neste trabalho, os efeitos de fotoinduzida em diferentes intensidades de iluminação à temperatura ambiente são investigados arsenieto de gálio semi-isolante ( si-gaas ag / si-gaas / ag baseado em o dispositivo é submetido à irradiação de luz que é fornecida por díodos emissores de luz (led) com um comprimento de onda de cerca de 395 nm-405 nm e a potência de trabalho de cada conta de lâmpada led é de cerca de 33 mw.

o m fotoinduzido não mostra saturação sob campos magnéticos (b) até 1 te a sensibilidade s (s = mr / b) em campo magnético baixo (b = 0,001 t) pode atingir 15 t − 1. Descobriu-se que a recombinação de elétrons e orifícios fotoinduzidos resulta em um efeito positivo de fotoinduzido. este trabalho implica que uma alta fotoindução s sob um campo magnético baixo pode ser obtida em um dispositivo semicondutor não magnético com uma concentração de portadora intrínseca muito baixa.

fonte: iopscience

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