a densidade e intensidade de dispersão de luz dos precipitados de oxigênio silício cz os cristais são medidos por tomografia por dispersão de luz. os dados numéricos esclarecidos através das medições são discutidos em relação à quantidade de oxigênio precipitado. os resultados obtidos aqui correspondem bem à análise teórica de que os precipitados de oxigênio causam a dispersão da luz. as informaçõ...
Para realizar o carboneto de silício de alto desempenho ( SiC ) dispositivos de potência, contatos ôhmicos de baixa resistência ao SiC tipo-p devem ser desenvolvidos. Para reduzir a resistência do contato ôhmico, é necessário reduzir a altura da barreira nas interfaces metal / SiC ou aumentar a concentração de dopagem nos substratos de SiC. Como a redução da altura da barreira é extremamente difíc...
Neste trabalho, usando um simulador de dispositivo eletro-térmico tridimensional totalmente acoplado, estudamos o mecanismo de degradação de eficiência em alta operação atual em planar G uma Diodos emissores de luz baseados em N (CONDUZIU). Em particular, foi demonstrada a melhoria da degradação da eficiência utilizando substratos GaN condutores mais espessos. Primeiro, verifica-se que o aquecimen...
As características de laser dependentes de temperatura de ligação de diodo laser de GaInAsP de 1,5 µm (LD) cultivadas em um Substrato InP ou Substrato Si foram obtidos com sucesso. Nós fabricamos o InP substrato ou substrato de Si utilizando uma técnica de ligação direta de pastilhas hidrofílicas a temperaturas de ligação de 350, 400 e 450 ° C, e depositou GaInAsP ou Camadas de heteroestructure du...
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