uma camada de cobertura de grafite foi avaliada para proteger a superfície de bolachas epitaxiais 4h-sic com 4 e 7 implantadas e implantadas seletivamente durante o recozimento pós-implantação. O fotorresistante az-5214e foi centrifugado e cozido em vácuo a temperaturas variando de 750 a 850 ° c para formar um revestimento contínuo em superfícies sic planar e mesa com características de até 2 μm d...
xiamen powerway avançado material co., ltd., um dos principais fornecedores de epi serviço para gaas laser baseado wafers crescimento e outros produtos e serviços relacionados anunciou a nova disponibilidade de tamanho 3 \"é a produção em massa em 2017. este novo produto representa um natural adição à Pam-Xiamen linha de produtos. dr. Shaka, disse: \"Temos o prazer de oferecer aos nossos clientes ...
apresentamos um novo processo para integrar germânio com bolachas de silício sobre isolante (soi). o germânio é implantado em soi que é então oxidado, aprisionando o germânio entre as duas camadas de óxido (o óxido crescido e o óxido enterrado). com o controle cuidadoso das condições de implantação e oxidação, este processo cria uma camada fina (experimentos atuais indicam até 20-30nm) de germânio...
um algan micromachinado / transistor de alta mobilidade eletrónica gan ( hemt ) em um substrato com camadas de dissipação de calor de carbono / titânio (dlc / ti) foi investigado. condutividade térmica superior e coeficiente de expansão térmica semelhante ao gan permitiu que o dlc / ti dissipasse eficientemente o calor da haste de potência através do substrato Si através de furos. Esta haste com d...
lasers de diodo direto têm algumas das características mais atraentes de qualquer laser. eles são muito eficientes, compactos, de comprimento de onda versáteis, de baixo custo e altamente confiáveis. no entanto, a utilização total de lasers de diodo diretos ainda não foi realizada. a má qualidade de laser de diodo feixe em si, afetam diretamente suas faixas de aplicação, a fim de melhor utilização...
nós relatamos a geração de microdischarges em dispositivos compostos de microcristalinadiamante. as descargas foram geradas em estruturas de dispositivos com geometrias de descarga catódica de microhollow. uma estrutura consistia de uma pastilha de diamante isolante revestida com camadas de diamante dopadas com boro em ambos os lados. uma segunda estrutura consistia de uma pastilha de diamante iso...
Uma heterojunção inas / si formada por um método de colagem com bolacha úmida com temperatura de anelamento de 350 ° C foi investigada por microscopia eletrônica de transmissão (TEM). Inas e si foram observados para serem uniformemente ligados sem quaisquer espaços vazios em um campo de visão de 2 µm de comprimento em uma imagem de campo claro. uma imagem de alta resolução revelou que, entre oinas...
os recentes avanços no crescimento de filmes epitaxiais sic em si são analisados. Os métodos clássicos básicos usados atualmente para o crescimento de filmes sic são discutidos e suas vantagens e desvantagens são exploradas. a idéia básica e o fundo teórico para um novo método da síntese de filmes sic epitaxiais em si são dados. Será mostrado que o novo método é significativamente diferente das ...
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