a condição de crescimento de dopado com gan camada de cobertura e seu efeito na formação de contato ôhmico do tipo p foram investigados. confirma-se que a dopagem excessiva em mg pode efetivamente aumentar o contato ni / au com gan após recozimento a 550 ° c. quando a taxa de fluxo entre mg e ga fontes de gás é de 6,4% e a largura da camada é de 25 nm, a camada de cobertura cultivada a 850 ° c exi...
nós relatamos a geração de microdischarges em dispositivos compostos de microcristalinadiamante. as descargas foram geradas em estruturas de dispositivos com geometrias de descarga catódica de microhollow. uma estrutura consistia de uma pastilha de diamante isolante revestida com camadas de diamante dopadas com boro em ambos os lados. uma segunda estrutura consistia de uma pastilha de diamante iso...
relatamos o crescimento de epitaxia por feixe químico aux-assistido de nanofios de zincblenda insegura sem defeitos. o crescido insb segmentos são as seções superiores de heteroestruturas inas / insb em substratos inas (111) b. mostramos, através da análise de tempo, que o zincblende insb pode ser cultivado sem quaisquer defeitos de cristal, tais como falhas de empilhamento ou planos de junção. A ...
ainda é um grande desafio para dispositivos baseados em semicondutores obterem um grande efeito de magnetorresistência (mr) sob um campo magnético baixo à temperatura ambiente. Neste trabalho, os efeitos de fotoinduzida em diferentes intensidades de iluminação à temperatura ambiente são investigados arsenieto de gálio semi-isolante ( si-gaas ag / si-gaas / ag baseado em o dispositivo é submetido à...
o processo para diminuir a densidade de deslocamento em 3 polegadas dopado bolachas de inp é descrito. o processo de crescimento de cristais é um czochralsky (lec) encapsulado em um líquido convencional, mas escudos térmicos foram adicionados para diminuir o gradiente térmico no cristal em crescimento. A forma desses escudos foi otimizada com a ajuda de simulações numéricas de transferência de cal...
este artigo propõe uma nova tridimensional (3d) fotolitografia tecnologia para um processo de micropatterning de alta resolução em um substrato de fibra. uma breve revisão sobre a tecnologia de litografia da superfície não planar também é apresentada. A tecnologia proposta compreende principalmente a microfabricação do módulo de exposição 3D e a deposição de spray de filmes resistentes finos na fi...
a densidade e intensidade de dispersão de luz dos precipitados de oxigênio silício cz os cristais são medidos por tomografia por dispersão de luz. os dados numéricos esclarecidos através das medições são discutidos em relação à quantidade de oxigênio precipitado. os resultados obtidos aqui correspondem bem à análise teórica de que os precipitados de oxigênio causam a dispersão da luz. as informaçõ...
Os monocristais GaSb dopados com te são estudados medindo o efeito Hall, os espectros de transmissão infravermelha (IV) e de fotoluminescência (PL). Verifica-se que o GaSb n-type com transmitância IR pode ser obtido em até 60% pelo controle crítico da concentração Te-doping e compensação elétrica. A concentração dos defeitos associados ao receptor nativo é aparentemente baixa no GaSb em comparação...
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