nós relatamos nossos resultados em inganas / gaas Lasers de emissão de superfície de cavidade vertical (vcsels) na faixa de 1,3 µm. as estruturas epitaxiais foram cultivadas em (1 0 0) gaas substratos por deposição de vapor químico metalorgânico (mocvd) ou epitaxia por feixe molecular (mbe). a composição de nitrogênio do inga (n) as / gaas a região ativa do poço quântico (qw) é 0-0,02. a operação de laser de onda contínua de comprimento de onda longo (até 1,3 µm) à temperatura ambiente (rt cw) foi alcançada para vcsel desenvolvidos por mbe e mocvd. para dispositivos desenvolvidos em mocvd com refletores de bragg distribuídos dopados com n e p (dbrs), uma potência de saída óptica máxima de 0,74 mw foi medida em vcsels de 0,36ga0,64n0,006as0,994 / gaas. um jth muito baixo de 2.55 ka cm-2 foi obtido para os vcsels inganas / gaas. os aparelhos criados foram feitos com uma estrutura intracavitária. Emissores multimodo de 1,3 µm in0.35ga0.65n0.02as0.98 / gaas com 1 mw de potência de saída foram emitidos sob operação rt cw. um jth de 1,52 ka cm-2 foi obtido para o mbe-grown em 0,35 ga 0,65n0,02as0,98 / gaas vcsels, que é a menor densidade de corrente reportada. as características de emissão dos ingas / gaas vcsels foram medidas e analisadas.

fonte: iopscience

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