extraímos os produtos portadores de mobilidade-vida útil para o gasb cultivado epitaxialmente e demonstramos a resposta espectral aos raios gama de um gasb fotodíodo p – i – n com uma região de absorção de 2 µm de espessura. sob exposição de fontes radioativas de 55fe e de 241am a 140k, o fotodiodo exibe largura total com resoluções de energia meio máximas de 1.238 ± 0.028 e 1.789 ± 0.057 kev a 5.89 e 59.5 kev, respectivamente. Observamos boa linearidade do fotodiodo gasb através de uma gama de energias de fótons. o ruído eletrônico e o ruído de captura de carga são medidos e mostrados como os principais componentes que limitam as resoluções de energia medidas.
fonte: iopscience
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