Destaques

• a espessura do grafeno crescido em sic foi determinada pelo perfil de profundidade de aes.

• o perfil de profundidade aes verificou a presença de camada de buffer em sic.

• A presença de ligações de si insaturadas na camada de proteção foi demonstrada.

• utilizando a análise multiponto, foi determinada a distribuição da espessura do grafeno na bolacha.

Aplicou-se perfil de profundidade de espectroscopia electrica em parafuso (aes) para determinao da espessura de uma folha de grafeno de tamanho macroscico cultivada em 2 in. 6h-sic (0 0 0 1) por epitaxia por sublimao. o perfil de profundidade medido desviou da forma exponencial esperada, mostrando a presença de uma camada amortecedora adicional. o perfil de profundidade medido foi comparado com o perfil simulado que permitiu a derivação das espessuras das camadas de grafeno e buffer e a concentração de si da camada de buffer. foi demonstrado que a camada de tampão semelhante a grafeno contém cerca de 30% de si insaturado. O perfil de profundidade foi realizado em vários pontos (diâmetro 50 μm), o que permitiu a construção de uma distribuição de espessura caracterizando a uniformidade da folha de grafeno.

palavras-chave

grafeno em sic; composição da camada de tampão; perfil de profundidade aes; espessura de grafeno; epitaxia por sublimação

fonte: sciencedirect

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