Destaques

• efeitos da largura do passo atômico na remoção de safira e sic wafers são estudados.

• o motivo dos efeitos da largura do passo na remoção e o modelo são discutidos.

• modelo de remoção de cmp de wafer hexagonal para obter superfície lisa atomicamente é proposto.

• as variações da morfologia da etapa atômica em relação aos defeitos são analisadas.

• o mecanismo de formação dos defeitos é discutido.

absrtact

em direção a safira e sic wafer, a morfologia da etapa atômica clara e regular pode ser observada em toda a superfície via AFM. no entanto, as variações das larguras dos degraus atômicos e das direções dos degraus são diferentes no conjunto das diferentes superfícies das pastilhas: as da pastilha de safira são uniformes, enquanto as da pastilha sic são distintas. os efeitos da largura do passo atômico na taxa de remoção são estudados. modelo de remoção de wafer super-duro para realizar superfície atomicamente ultra-suave é proposto. as variações da morfologia da etapa atômica em direção a diferentes defeitos na superfície de safira e sílica são analisadas e o mecanismo de formação é discutido.

palavras-chave

polimento mecânico-químico (cmp); safira; carboneto de silício (sic); passo atômico

fonte: sciencedirect

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