As camadas de CdS foram depositadas em substratos de InP usando a técnica de crescimento de vapor (H2–CdS). As camadas monocristalinas de CdS hexagonal foram obtidas em InP (111) , (110) e (100) com as seguintes relações heteroepitaxiais; (0001) CdS//(111) InP e [barra 12barra 10] CdS//[01barra 1] InP, (01barra 13) CdS//(110) InP e [barra 2110] CdS//[barra 110] InP, (30bar 34) CdS//(100) InP e [bar 12bar 10] CdS//[01bar 1] InP. As camadas de CdS depositadas no InP (barra 1barra 1barra 1) foram identificadas em termos de cristais hexagonais geminados, cujos planos gêmeos eram quase paralelos a (30barra 3barra 4) e seus equivalentes cristalográficos. Os gradientes composicionais foram observados na interface dos depósitos e dos substratos.
Fonte: IOPscience
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