nós oferecemos bolachas epitaxiais do gaas para o diodo schottky como segue:

observações heteródromes milimétricas e submilimétricas melhorarão nossa compreensão do universo, do sistema solar e da atmosfera terrestre. Os diodos schottky são componentes estratégicos que podem ser usados ​​para construir fontes ou misturadores trabalhando à temperatura ambiente. Um diodo gaas schottky é um dos elementos-chave para multiplicadores e misturadores em freqüências tão altas quanto o diodo pode ser extremamente rápido, reduzindo seu tamanho e também é muito eficiente graças à baixa queda de tensão direta.

o processo de fabricação apresentado abaixo é baseado em litografia por feixe de elétrons e em desenhos de camada epitaxial convencional. o material de partida é um substrato semi-isolante de 500µ gaas com camadas epitaxiais crescidas por deposição de vapor químico de metal orgânico (mocvd) ou epitaxia de feixe molecular (mbe).

a estrutura da camada consiste em uma primeira camada de 400nm de etch-stop e uma primeira membrana de gaas de 40µm seguida por uma segunda camada de 400nm de etch-stop e uma segunda membrana com espessura de gaas.

as partes activas dos substratos são as seguintes: camada de paragem de gravação de algas de 40nm, camada de 5x1018cm-3n + gaas fortemente dopada de 800nm ​​e camada de gaas de tipo n de 100nm dopada 1x1017cm-3.

duas estruturas diferentes para misturadores, um misturador 183ghz mmic (fig. 1-a) e um misturador de circuito de 330ghz (fig. 1-b) foram projetados via sistemas cad e fabricados usando litografia de feixe eletrônico.

fig. 1: capturas cad do misturador 183ghz mmic (a) e misturador circuito 330ghz (b).

uma gravação a seco de algas / gaas seletiva é usada para definir os platôs do dispositivo, a taxa de ataque diminui o suficiente quando a camada de gravação é atingida.

para os contatos ôhmicos, a camada n + gaas é rebaixada, os filmes ni / ge / au metal são sucessivamente evaporados e um rápido recozimento térmico é realizado.

para as pontes de ar e os ânodos / conectores de schottky, o processo é o seguinte. Em primeiro lugar, um quadrado de resistência é exposto e refluído para formar o suporte para as pontes de ar.

os ânodos são então fabricados usando duas camadas de resiste e o perfil requerido é obtido pela combinação de espessuras de camada de resistência, sensibilidades e doses de exposição.

finalmente, o filme de metal ti / au é evaporado para fazer os contatos e os conectores de conexão schottky.

os díodos são então passivados usando si3n4 depositado por pecvd (deposição de vapor químico melhorada por plasma). Para permitir a integração do circuito, os circuitos são separados por uma gravação profunda usando icp (inductive coupled plasma) - gravura de 10µm para o circuito de 330ghz e gravação de 50µm para o 183gz mmic.

finalmente, a bolacha é então montada de cabeça para baixo sobre uma bolacha transportadora usando cera. o substrato gaas semi-isolante é afinado na espessura desejada (10µm ou 50µm) usando o mesmo processo que em.

fonte: semiconductorwafers.net

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