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substrato de gancho autônomo
pam-xiamen estabeleceu a tecnologia de fabricação de bolacha de substrato de gancho independente (galão de nitreto), que é para uhb-led e ld. cultivado por tecnologia de epitaxia em fase de vapor de hidreto (hvpe), nosso substrato de ganhado tem baixa densidade de defeito. -
Gaas (arsenieto de gálio) wafers
Pwam desenvolve e fabrica substratos semicondutores compostos - cristal de arsenieto de gálio e wafer.we usamos tecnologia avançada de crescimento de cristais, tecnologia de processamento de gradiente vertical (vgf) e wafer de gaas, estabeleceu uma linha de produção de crescimento de cristal, corte, moagem para processamento de polimento e construído uma sala limpa de 100 classes para limpeza e embalagem de bolachas. nossa bolacha de gaas inclui lingotes de 2 ~ 6 polegadas / wafers para aplicações led, ld e microelectrónica. Estamos sempre dedicados a melhorar a qualidade dos materiais atuais atualmente e desenvolver substratos de grande porte. -
bolacha insípida
A xiamen powerway oferece insb wafer - indium antimonide que são cultivadas por lec (ccochralski encapsulado líquido) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou (100).tags quentes : bolacha insípida substrato insb bolacha antimonida de índio substrato antimonido de índio Propriedades antimonidas de índio preço insípido
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bolacha de gás
A linha de energia de xiamen oferece gasferina - antimônio de gálio que são cultivados por lec (ccochralski encapsulado em líquido) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou (100) -
bolacha
xiamen O powerway oferece vazão gap - fosforeto de gálio que são cultivados por lec (líquido encapsulado czochralski) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou (100).
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