q: gostaríamos de perguntar abaixo.
bolacha de arsenieto de gálio, gaas, vgf
(001) +/- 0,5o orientação
n-tipo, silício dopado
concentração portadora: 1 - 4 x 1018 cm-3
epd ≤ 5000 cm-2
1 lado polido (ra \u0026 lt; 10Å), pronto para epi, verso gravado
us semi flats padrão, sem marcações a laser
fitas de wafer de estilo aranha individuais, seladas em n2 gás, classe 1000 cleanroom embalagem, sem rótulos dentro da embalagem
50,8 mm (+/- 0,4 mm) de diâmetro x ≤ 350 mícrons
um: nós poderíamos fornecer para wafer gaas acima.
informações de contato
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
