O crescimento epitaxal do feixe molecular da fonte de gás de GaSb é investigado. O Sb(CH 3 ) 3 se decompõe efetivamente quando a temperatura do forno de craqueamento é superior a 800°C. Uma epi-camada de GaSb espelhada pode ser obtida usando Sb(CH 3 ) 3 e uma fonte sólida de Ga pela primeira vez.
Fonte: IOPscience
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