O pam-xiamen produz lingotes de cristal único de antimoneto de gálio (gasb) de alta qualidade.

temos pastilhas redondas, cortadas, lapidadas e polidas e podem fornecer uma qualidade de superfície epi-ready.

cristal gasb é um composto formado por 6n puro ga e elemento sb e é cultivado pelo método encapsulado líquido de czochralski (lec) com epd \u0026 lt; 1000 cm -3. O cristal gasb possui alta uniformidade de parâmetros elétricos e baixa densidade de defeitos, adequado para o crescimento epitaxial de mbe ou mocvd.

temos produtos gasosos \"epi ready\" com ampla escolha em orientação exata ou não, concentração baixa ou alta dopada e bom acabamento superficial. por favor entre em contato conosco para mais informações sobre o produto.

bolacha de gás (antimoneto de gálio)

O pam-xiamen produz lingotes de cristal único de antimoneto de gálio (gasb) de alta qualidade.

temos pastilhas redondas, cortadas, lapidadas e polidas e podem fornecer uma qualidade de superfície epi-ready.

cristal gasb é um composto formado por 6n puro ga e elemento sb e é cultivado pelo método encapsulado líquido de czochralski (lec) com epd \u0026 lt; 1000 cm -3. O cristal gasb possui alta uniformidade de parâmetros elétricos e baixa densidade de defeitos, adequado para o crescimento epitaxial de mbe ou mocvd.

temos produtos gasosos \"epi ready\" com ampla escolha em orientação exata ou não, concentração baixa ou alta dopada e bom acabamento superficial. por favor entre em contato conosco para mais informações sobre o produto .

1) 2 \", 3\" bolacha do gasb

orientação: (100) ± 0.5 °

espessura (μm): 500 ± 25; 600 ± 25

tipo / dopante: p / não dopado; p / si; p / zn

nc (cm-3) :( 1 ~ 2) e17

mobilidade (cm2 / v · s): 600 ~ 700

método de crescimento: cz

polonês: ssp

2) 2 \"bolacha do gasb

orientação: (100) ± 0.5 °

espessura (μm): 500 ± 25; 600 ± 25

digite / dopant: n / não editado; p / te

nc (cm-3) :( 1 ~ 5) e17

mobilidade (cm2 / v · s): 2500 ~ 3500

método de crescimento: lec

polonês: ssp

3) 2 \"bolacha do gasb

orientação: (111) a ± 0,5 °

espessura (μm): 500 ± 25

digite / dopant: n / te; p / zn

nc (cm-3) :( 1 ~ 5) e17

mobilidade (cm2 / v · s): 2500 ~ 3500; 200 ~ 500

método de crescimento: lec

polonês: ssp

4) 2 \"bolacha do gasb

orientação: (111) b ± 0,5 °

espessura (μm): 500 ± 25; 450 ± 25

digite / dopant: n / te; p / zn

nc (cm-3) :( 1 ~ 5) e17

mobilidade (cm2 / v · s): 2500 ~ 3500; 200 ~ 500

método de crescimento: lec

polonês: ssp

5) 2 \"bolacha do gasb

orientação: (111) b 2deg.off

espessura (μm): 500 ± 25

digite / dopant: n / te; p / zn

nc (cm-3) :( 1 ~ 5) e17

mobilidade (cm2 / v · s): 2500 ~ 3500; 200 ~ 500

método de crescimento: lec

polonês: ssp

produtos relativos:

inas wafer

bolacha insb

inp wafer

bolacha de gaas

bolacha de gás

wafer de lacuna

o antimoneto de gálio (gasb) pode ser fornecido como wafers com acabamentos cortados, gravados ou polidos e estão disponíveis em uma ampla faixa de concentração de transportador, diâmetro e espessura.

O material gasoso apresenta propriedades interessantes para dispositivos termofotovoltaicos de junção única (tpv). gasb: te único cristal cultivado com czochralski (cz) ou modificado czo-chralski (mo-cz) métodos são apresentados e o problema da homogeneidade discutido. como a mobilidade da portadora é um dos pontos-chave para o cristal a granel, são realizadas medições no hall. Apresentamos aqui alguns desenvolvimentos complementares baseados no ponto de vista do processamento do material: o crescimento do cristal a granel, a preparação da bolacha e a gravação da bolacha. etapas subseqüentes após estas estão relacionadas à elaboração da junção p / no rn / p. alguns resultados obtidos para diferentes abordagens de elaboração de camadas finas são apresentados. Assim, a partir do processo simples de difusão em fase de vapor ou do processo epitaxi em fase líquida até o processo de deposição de vapor químico orgânico em metal, relatamos alguma especificidade do material.

Se você é mais interessante em bolacha insb, por favor envie e-mails para nós; sales@powerwaywafer.com e visite nosso site: www.powerwaywafer.com .