Estudamos os processos de crescimento e relaxamento de cristais de Ge cultivados seletivamente por deposição química de vapor em nanopilares independentes de Si(001) de 90 nm de largura. Epi-Ge com espessura variando de 4 a 80 nm foi caracterizado por difração de raios X baseada em síncrotron e microscopia eletrônica de transmissão. Descobrimos que a tensão nas nanoestruturas de Ge é liberada plasticamente pela nucleação de discordâncias desajustadas, levando a graus de relaxamento que variam de 50 a 100%. O crescimento dos nanocristais de Ge segue o equilíbrio cristalinoforma terminada por baixa energia de superfície (001) e {113} facetas. Embora os volumes dos nanocristais de Ge sejam homogêneos, sua forma não é uniforme e a qualidade do cristal é limitada por defeitos de volume nos planos {111}. Este não é o caso das nanoestruturas de Ge/Si submetidas a tratamento térmico. Aqui, observa-se uma qualidade de estrutura melhorada juntamente com altos níveis de uniformidade de tamanho e forma.

Fonte: IOPscience

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