Camadas altamente dopadas de p-3C-SiC de boa perfeição cristalina foram cultivadas por epitaxia de sublimação no vácuo. A análise dos espectros de fotoluminescência e a dependência da concentração de portadores com a temperatura mostram que existem pelo menos dois tipos de centros aceitadores em ~ E V + 0,25 eV e em E V + 0,06–0,07 eV nas amostras estudadas. Chega-se à conclusão de que camadas desse tipo podem ser usadas como p-emissores em dispositivos 3C-SiC.
Fonte: IOPscience
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