Destaques

• esquema de fabricação para circuitos heterogêneos de si-para-inp no nível de wafer é descrito.

• precisão do alinhamento wafer-to-wafer melhor que 4-8 µm após a colagem obtida.

• interconexões com excelente desempenho até 220 ghz demonstrados.

• barreira de paládio necessária quando se combina tecnologia al-based com uma base de ouro.

abstrato

a fim de beneficiar das propriedades do material das tecnologias inp-hbt e sige-bicmos, empregamos um esquema de integração tridimensional (3d) com base em benzociclobuteno (bcb) baseado em wafer. Foi desenvolvido um processo monolítico de fabricação de wafers baseado na tecnologia de transferência de substratos, possibilitando a realização de circuitos complexos de alta frequência heterointegrados. interconexões verticais miniaturizadas (vias) com baixa perda de inserção e excelentes propriedades de banda larga permitem uma transição perfeita entre os sub-circuitos inp e bicmos.

resumo gráfico

palavras-chave

transistores bipolares de heterojunção; fosfeto de índio; circuitos integrados monolíticos; circuitos integrados tridimensionais; ligação de wafer; integração de escala de wafer

fonte: sciencedirect

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