As camadas de aln de plano aplano e de plano m foram cultivadas em substratos de plano ae 6h-sic de plano m por epitaxia de fase de vapor de hidreto de baixa pressão (lp-hvpe), respectivamente. os efeitos da temperatura de crescimento foram investigados. Os resultados mostraram que a rugosidade da superfície foi reduzida pelo aumento da temperatura das camadas al-plane e m-plane. A anisotropia morfológica no plano foi revelada por microscopia eletrônica de varredura e microscopia de força atômica, que foi utilizada para a imagem das transições morfológicas e estruturais com a temperatura. A anisotropia nas curvas de balanço de raios-X no eixo também foi detectada por difração de raios X de alta resolução. no entanto, em comparação com a camada de aln avião, obtém-se facilmente uma superfície lisa para a camada de alumínio do plano m com boa qualidade cristalina. a temperatura ideal foi menor para a camada de aln avião m do que para a camada de aln avião. As características de tensão das camadas de aln não polares foram estudadas usando espectros de Raman polarizado. Os resultados mostraram a presença de tensões anisotrópicas no plano dentro das camadas aln epitaxiais não polares.

palavras-chave

a1. anisotropia no plano; a1. não polar; a1. espectro de raman; a3. epitaxia em fase de vapor de hidreto; b2. a-plane e m-plane aln; b2. substrato sic

fonte: sciencedirect

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