relatamos o crescimento de epitaxia por feixe químico aux-assistido de nanofios de zincblenda insegura sem defeitos. o crescido insb segmentos são as seções superiores de inas heteroestruturas / insb em substratos inas (111) b. mostramos, através da análise de tempo, que o zincblende insb pode ser cultivado sem quaisquer defeitos de cristal, tais como falhas de empilhamento ou planos de junção. A análise de mapa de deformação demonstra que o segmento insb está quase relaxado a poucos nanômetros da interface. Através de estudos de pós-crescimento, descobrimos que a composição de partículas de catalisador é auin2, e pode ser variada para uma liga de auin por meio do resfriamento das amostras sob fluxo de tdmasb.
fonte: iopscience
Para mais informações, por favor visite nosso website:http://www.semiconductorwafers.net ,
envie-nos um e-mail emangel.ye@powerwaywafer.com oupowerwaymaterial@gmail.com
informações de contato
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
