Destaques

• filmes finos n-polar inaln foram cultivados em substratos gan por epitaxia por feixe molecular.

• Morfologia da superfície transicionada de quase 3d para fluxo de passo a alta temperatura.

• saturação de índio foi observada para o aumento do fluxo de índio a alta temperatura.

• O aumento do fluxo de alumínio ajudou a aumentar a eficiência da incorporação de índio.

• Filmes inalatórios n-polares com rugosidade de 0.19 nm rms foram demonstrados.

abstrato

As películas finas n-polar inaln foram cultivadas por epitaxia de feixe molecular assistida por plasma em substratos ganchos autônomos sob condições ricas em n. os fluxos de índio e alumínio foram variados independentemente a temperaturas do substrato abaixo e acima do início da dessorção térmica do índio. a baixas temperaturas, a composição inalar e a taxa de crescimento são determinadas pelos fluxos do grupo III. com o aumento da temperatura do substrato, a morfologia da superfície transita de quase 3d para uma morfologia suave de 2d a temperaturas significativamente acima do início da perda de índio. em temperaturas mais altas, observamos aumento da evaporação do índio com maiores fluxos de índio e uma supressão da evaporação do índio com aumento do fluxo de alumínio. o filme fino final inaln otimizado resulta em morfologia passo-fluxo com rugosidade rms de 0,19 nm e alta qualidade interfacial.

palavras-chave

a1. morfologia do cristal; a1. dessorção; a3. epitaxia por feixe molecular; b1. nitretos; b2. compostos ternários semicondutores

fonte: sciencedirect

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