Neste estudo, a viabilidade de usar a tecnologia wafer-bonding para fabricar um semicondutor GaSb Substrato de GaAs para potencialmente criar um Estrutura GaSb-on-insulator foi demonstrado. Uma pastilha GaSb foi colada em dois tipos de substratos de GaAs:
(1) um substrato regular de GaAs semi-isolante de cristal
(2) as bolachas de GaAs com α- () amorfa pré-depositada a baixa temperatura Ga, As ) camadas.
As microestruturas e os estudos de adesão de interface foram realizados nestes semicondutores ligados por wafer. Verificou-se que o GaSb-on-α- ( Ga, As ) As bolachas mostraram uma melhor aderência da interface e menor capacidade de ligação à temperatura.
fonte: iopscience
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