Uma nova técnica de implantação usando a implantação sequencial de carbono (C) e boro (B) é empregada para controlar a difusão B lateral e vertical da região da base p do transistor de efeito de campo epicanal planar de carboneto de silício (SiC) ( ECFET ). As medições atuais de espectroscopia transiente de nível profundo foram realizadas para estabelecer a intercorrelação entre a difusão aprimorada de B e os defeitos eletricamente ativos introduzidos pela implantação sequencial de C e B. Verificou-se que a formação de nível de defeito profundo é completamente suprimida para a mesma proporção (C:B=10:1) que para a difusão de B em 4H-SiC. Um mecanismo de difusão que está correlacionado com a formação do centro D foi proposto para explicar a difusão intensificada de B observada experimentalmente. A eficácia da técnica de implantação de C e B na supressão do efeito de compressão do transistor de efeito de campo de junção (JFET) é claramente visível a partir do aumento de 3 a 4 vezes na corrente de dreno do ECFET 4H-SiC fabricado para o espaçamento da base p, que foi reduzido para cerca de 3 µm. Esta nova técnica de implantação resistente à difusão abre portas para densidades de empacotamento maiores por meio da redução do pitch da célula unitária para aplicações de dispositivos de alta potência de SiC.

Fonte: IOPscience

Para obter mais informações, visite nosso site: www.semiconductorwafers.net ,

envie-nos um e-mail para sales@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com