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defeitos macroscópicos em várias estruturas de poços quânticos crescidos por mbe em modelos gan

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defeitos macroscópicos em várias estruturas de poços quânticos crescidos por mbe em modelos gan

2018-01-02

Temos usado mbe para crescer em super-redes aln / gan, com diferentes números de períodos, em modelos movpe-gan de 2.5-μm de espessura para estudar o desenvolvimento de defeitos, como a deformação da superfície devido à deformação. após o crescimento as amostras foram estudadas por microscopia de força atômica (AFM), microscopia eletrônica de transmissão (TEM), xrd e espectroscopia no infravermelho por transformada de Fourier (ft-ir). a cepa aumentou com o número de poços quânticos (qws) e eventualmente causou defeitos como microtrincas visíveis por microscopia óptica em quatro ou mais períodos qw. imagens de alta resolução mostraram recessões superficiais na superfície (deformação superficial) indicando formação de microfissuras na região mqw. a largura de linha de absorção intersubband (é) de uma estrutura de quatro períodos foi 97 mev, o que é comparável com o espectro de uma estrutura de 10 períodos a uma energia de absorção de ∼700 mev. isso indica que a qualidade da interface do mqw não é substancialmente afetada pela presença de trincas.


palavras-chave

intersubband; gan; mbe; rachaduras superficiais; substrato de safira; modelo


fonte: sciencedirect


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