nós relatamos no crescimento do epitaxy do feixe molecular (mbe) e nas características do dispositivo de ge pilhas solares. a integração de uma célula inferior embaixo de uma pilha tripla de junção treliçada, combinada com a mbe, poderia permitir eficiências ultra-altas sem crescimento metamórfico ou colagem de wafer. no entanto, uma junção difusa não pode ser prontamente formada em ge por causa do baixo coeficiente de adesão das moléculas do grupo-v ge superfícies. nós, portanto, realizamos geunções por crescimento de n-ge homo-epitaxial em wafers p-ge dentro de um sistema padrão iii-v mbe. Em seguida, fabricamos ge células solares, descobrindo que a temperatura de crescimento e o recozimento pós-crescimento são fatores-chave para alcançar alta eficiência. Valores de tensão de circuito aberto e fator de enchimento de ~ 0,175 v e ~ 0,59 sem uma camada de janela foram obtidos, sendo que ambos são comparáveis ​​aos difusos ge junções formadas por epitaxia em fase de vapor de metal-orgânico. Também demonstramos o crescimento de gaas de domínio único de alta qualidade na junção ge, conforme necessário para o crescimento subseqüente de subcélulas iii-v, e que a passivação de superfície proporcionada pela camada gaas melhora ligeiramente o desempenho das células geográficas.

fonte: iopscience

Para mais informações, por favor visite nosso website: http://www.semiconductorwafers.net ,

envie-nos um e-mail em angel.ye@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com