Destaques
• defeitos em nanoescala em materiais iii-v, crescidos sobre si foram caracterizados com cafm.
• os defeitos exibem maior condutividade.
• o recurso de retificação de contato é oculto por uma corrente maior sob o viés reverso.
• amostras padronizadas fabricadas usando trapping de taxa de aspecto também foram caracterizadas.
abstrato
a implementação de dispositivos de alta mobilidade requer o crescimento de materiais de iii – v sobre substratos de silício. no entanto, devido ao desajuste da rede entre esses materiais, os semicondutores iii – v tendem a desenvolver defeitos estruturais que afetam as características elétricas do dispositivo. neste estudo, a técnica cafm é empregada para identificação e análise de defeitos em nanoescala, em especial, deslocamentos de rosca (td), falhas de empilhamento (sf) e limites anti-fase (apb), em materiais iii-v crescidos sobre pastilhas de silício.
resumo gráfico
objetivo: defeitos em nanoescala, como deslocamentos de rosca (td), falhas de empilhamento (sf), entre outros, em materiais iii-v crescidos sobre pastilhas de silício foram caracterizados usando um cafm. Os resultados apresentados mostram que o cafm pode ajudar a identificar vários tipos de defeitos estruturais nos materiais iii-v, bem como mensurar suas características condutoras.
fonte: sciencedirect
palavras-chave
substratos de alta mobilidade; semicondutores iii – v; deslocamentos de rosqueamento; cafm
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