xiamen powerway advanced material co., ltd., um fornecedor líder de Gaasp materiais e outros produtos e serviços relacionados anunciaram que a nova disponibilidade de tamanho de 2 \"-3\" está em produção em massa em 2017. Este novo produto representa uma adição natural à linha de produtos pam-xiamen.dr. Shaka, disse: \"temos o prazer de oferecer Gaasp Wafers para nossos clientes, incluindo muitos que estão se desenvolvendo melhor e mais confiável para dispositivos emissores de luz vermelha. nosso Gaasp O material possui excelentes propriedades, como uniforme na composição e / ou uniforme na eficiência quântica externa. a disponibilidade melhora o crescimento de boule e os processos de wafering \".\" e \"nossos clientes agora podem se beneficiar do aumento do rendimento do dispositivo esperado ao desenvolver transistores avançados em um substrato quadrado. nosso Gaasp O material é natural por produtos de nossos esforços em andamento, atualmente estamos dedicados a desenvolver produtos com maior segurança contínua \".

pam-xiamen melhorou Gaasp A linha de produtos beneficiou de tecnologia forte. apoio da universidade nativa e centro de laboratório.

agora mostra um exemplo da seguinte maneira:

sobre o material avançado xiamen powerway co., ltd

encontrado em 1990, xiamen powerway material avançado co., ltd (pam-xiamen) é um fabricante líder de material semicondutor composto na China. O pam-xiamen desenvolve tecnologias avançadas de crescimento de cristais e epitaxia, processos de fabricação, substratos de engenharia e dispositivos semicondutores. As tecnologias da pam-xiamen permitem maior desempenho e menor custo de fabricação de bolacha semicondutora.

sobre Gaasp

O fosforeto de arseneto de gálio (gaas1-xpx) é um material semicondutor, uma liga de arsenieto de gálio e fosforeto de gálio. existe em vários índices de composição indicados na sua fórmula pela fração de fosfeto de arseneto de x.gallium é usado para a fabricação de diodos emissores de luz vermelhos, laranja e amarelo. muitas vezes é cultivada em substratos de fosforeto de gálio para formar uma heterosestrutura gap / gaasp. para afinar suas propriedades eletrônicas, pode ser dopada com nitrogênio (gaasp: n).

Para mais informações, visite nosso site: http://www.semiconductorwafers.net , envie-nos e-mail para angel.ye@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com .