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pam-xiamen oferece camada inalas

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pam-xiamen oferece camada inalas

2017-02-12

xiamen powerway advanced material co., ltd., um fornecedor líder de inalas e outros produtos e serviços relacionados anunciaram a nova disponibilidade de tamanho 2 \"está em produção em massa em 2017. Este novo produto representa uma adição natural à linha de produtos da pam-xiamen.


dr. Shaka, disse: \"temos o prazer de oferecer inalas camada para nossos clientes, incluindo muitos que estão se desenvolvendo melhor e mais confiável para o lasers de cascata quântica de banda larga. nosso inalas A camada possui excelentes propriedades, o arseneto de alumínio e índio é utilizado, e. como uma camada tampão em transistores de hemt metamórficos, onde serve para ajustar as diferenças constantes da rede entre o substrato gaas e o canal gainas. ele também pode ser usado para formar camadas alternativas com arseneto de gálio de índio, que atuam como poços quânticos; estas estruturas são usadas, e. lasers em cascata quântica de banda larga. a disponibilidade melhora o crescimento de boule e os processos de wafering \".\" e \"nossos clientes agora podem se beneficiar do aumento do rendimento do dispositivo esperado ao desenvolver transistores avançados em um substrato quadrado. nosso inalas A camada é natural por produtos de nossos esforços em andamento, atualmente nos dedicamos a desenvolver produtos com maior segurança contínua \".


pam-xiamen melhorou inalas A linha de produtos beneficiou de tecnologia forte. apoio da universidade nativa e centro de laboratório.


agora mostra um exemplo da seguinte maneira:


n ++ ingaas (~ 30nm) (5x10 ^ 19cm ^ -3,

inp (não doado) (~ 3 ~ 5nm),

in0.7ga0.3as (não doado) (3nm),

inas (não doado) (2nm)

in0.53ga0.47as (não doado) (5nm),

in0.52al0.48as (não doado) (~ 15nm),

inp (~ 5nm),

sio2 (~ 100nm),

si (bolacha).


sobre o material avançado xiamen powerway co., ltd


encontrado em 1990, xiamen powerway material avançado co., ltd (pam-xiamen) é um fabricante líder de material semicondutor composto na China. O pam-xiamen desenvolve tecnologias avançadas de crescimento de cristais e epitaxia, processos de fabricação, substratos de engenharia e dispositivos semicondutores. As tecnologias da pam-xiamen permitem maior desempenho e menor custo de fabricação de bolacha semicondutora.


sobre inalas


O arsenieto de alumínio e de índio, também o arsenieto de alumínio de índio ou alinas (alxin1-xas), é um material semicondutor com quase mesma constante de rede como gainas, mas uma velocidade de banda maior. o x na fórmula acima é um número entre 0 e 1 - isso indica uma liga arbitrária entre inas e ai. A fórmula alinas deve ser considerada uma forma abreviada do acima, em vez de qualquer proporção particular. O arseneto de índio de alumínio é usado, e. como uma camada tampão em transistores de hemt metamórficos, onde serve para ajustar as diferenças constantes da rede entre o substrato gaas e o canal gainas. ele também pode ser usado para formar camadas alternativas com arseneto de gálio de índio, que atuam como poços quânticos; estas estruturas são usadas, e. lasers em cascata quântica de banda larga.


q & a


q: que tal o iii-v on si? Ainda estou interessado. Você pode introduzir a camada tampão entre o substrato si e as camadas ativas iii-v?


a: as necessidades de nucleação epitaxial de silício, geralmente a primeira camada inp de nucleação de baixa temperatura ou camada de alinas, recozimento de alta temperatura após a camada oficial de estrutura de crescimento. a nucleação pode ser uma camada de transição muito fina, em

uma espessura de 10nm-20nm. apesar do sucesso da transição nuclear, ainda não pode liberar o estresse, precisa fazer o teste, O material após o crescimento ainda é um grande estresse!


q: a 3ª estrutura é ligeiramente diferente da exigida, Por favor confirme o doping doping inalas está em 0.05al0.48a.


a: o delta doping em inalas deve ser semelhante ao que você afirmou, não temos equipamento para testá-lo, mas pode atingir a concentração do transportador.


Para mais informações, visite nosso site: http://www.semiconductorwafers.net ,

s termine nos e-mail em angel.ye@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com .

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