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bolacha insípida
A xiamen powerway oferece insb wafer - indium antimonide que são cultivadas por lec (ccochralski encapsulado líquido) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou (100).tags quentes : bolacha insípida substrato insb bolacha antimonida de índio substrato antimonido de índio Propriedades antimonidas de índio preço insípido
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bolacha de gás
A linha de energia de xiamen oferece gasferina - antimônio de gálio que são cultivados por lec (ccochralski encapsulado em líquido) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou (100) -
bolacha
xiamen O powerway oferece vazão gap - fosforeto de gálio que são cultivados por lec (líquido encapsulado czochralski) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou (100). -
monocristalinos e bolachas (germanium)
Pam oferece materiais semicondutores, bolacha monocristalina (ge) germânio cultivada por vgf / lec -
bolacha cdznte (czt)
O telurídeo de cádmio e zinco (cdznte ou czt) é um novo semicondutor, que permite converter a radiação para o elétron efetivamente, é usado principalmente no substrato de epitaxia de filme fino infravermelho, detectores de raios-x e detectores de raios gama, modulação óptica a laser, células solares de desempenho e outros campos de alta tecnologia.tags quentes : cdznte detector czt detectores de raios gama cdte detector de radiação czt substrato cdznte
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detector czt
O pam-xiamen fornece detectores baseados em czt por tecnologia de detector de estado sólido para raios-x ou raios-gama, que possui melhor resolução de energia em comparação com detector de cristal com cintilação, incluindo detector czt planar, detector czt pixelado, czt co-planar gritags quentes : Fábrica de detectores czt detector czt exportador telluride de cadmio e zinco fabricante do detector czt
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silício monocristalino de zona flutuante
fz-silício O silício monocristalino com características de baixo teor de material estranho, baixa densidade de defeito e estrutura cristalina perfeita é produzido com o processo de zona flutuante; nenhum material estranho é introduzido durante o crescimento do cristal. a condutividade fz-silício é geralmente acima de 1000 Ω-cm, e o fz-silício é usado principalmente para produzir os elementos de alta tensão inversa e dispositivos fotoelétricos.tags quentes : zona de flutuação fz silício processo de zona de flutuação lingote de silício bolacha de sílica fabricantes de lingotes de silício
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testar wafer wafer
pam-xiamen oferece bolacha / bolacha de teste / bolacha de testetags quentes : testar a bolacha monitor de bolacha bolacha fofa substrato de silício espessura de bolacha de silício
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cz silicone monocristalino
cz-silício o silício monocristalino cz pesado / levemente dopado é adequado para produzir vários circuitos integrados (ic), diodos, triodes, painel solar de energia verde. Os elementos especiais (como ga, ge) podem ser adicionados para produzir materiais de células solares de alta eficiência, resistentes à radiação e anti-degeneração para componentes especiais.tags quentes : preço da bolacha de silício batatas fritas wafer Wafers de silício para venda preço do bolacha
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bolacha de silício epitaxial
A bolacha epitaxial de silício (epi wafer) é uma camada de silício monocristalino depositada em uma única bolacha de silício de cristal (nota: está disponível para cultivar uma camada de camada de silício poli-cristalino em cima de uma bolacha de silicone altamente dopada e cristalina, mas precisa camada tampão (como o óxido ou o poli-si) entre o substrato em massa e a camada epitaxial superior)tags quentes : bolacha de silicone epi bolacha de silício epitaxial Fabricantes de bolachas epitaxiais fabricante de wafer epi silício em isolador
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bolacha polida
Feijões polidos fz, principalmente para a produção de retificador de silício (sr), retificador controlado por silício (scr), transistor gigante (gtr), tiristor (gro)tags quentes : bolacha polida bolacha de silício polida bolacha tecnologia de mems eletrônica wafer material de silício
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wafer
a bolacha de gravura tem as características de baixa rugosidade, bom brilho e custo relativamente baixo, e substitui diretamente a bolacha polida ou bolacha epitaxial que tem um custo relativamente alto para produzir os elementos eletrônicos em alguns campos, para reduzir os custos. há as bolachas de gravura de baixa densidade, baixa reflexividade e de alta reflexão.tags quentes : wafer gravura de bolacha de silício mems gravura plasma processo de gravura pecvd
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