Realizamos o crescimento de área seletiva de GaN e fabricamos MQWs de InGaN/GaN em substratos de GaN a granel não e semipolares por MOVPE. As diferenças nas estruturas de GaN e na incorporação de InGaN/GaN MQWs cultivadas em substratos de GaN não e semipolares foram investigadas. No caso de crescimento de área seletiva, diferentes estruturas de GaN foram obtidas em substratos de GaN, GaN e GaN. Um padrão repetido de e facetas apareceu no GaN. Em seguida, fabricamos MQWs InGaN/GaN nas estruturas de faceta em GaN. As propriedades de emissão caracterizadas por catodoluminescência foram diferentes para e facetas. Por outro lado, para InGaN/GaN MQWs em substratos de GaN não e semipolares, passos ao longo do eixo a foram observados por AFM. Em particular no GaN, apareceram ondulações e agrupamento de ondulações. A caracterização da fotoluminescência indicou que a incorporação aumentava com o ângulo de saída do plano m e também dependia da polaridade.
Fonte: IOPscience
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