O processo de formação de defeitos cristalinos em uma camada isolante de Ge-on (camada GOI) fabricada pela oxidação de uma camada isolante de SiGe (SGOI), conhecida como técnica de condensação Ge, é estudado sistematicamente. Descobriu-se que os defeitos de cristal na camada GOI são deslocamentos em rosca e microgêmeos que são formados principalmente na faixa de fração de Ge maior que ~0,5. Além disso, quando a fração Ge atinge ~1 e a camada GOI é formada, a densidade dos microgêmeos diminui significativamente e sua largura aumenta consideravelmente. O relaxamento da deformação compressiva, observado nas camadas SGOI e GOI, não é atribuível à formação dos microgêmeos, mas aos deslocamentos perfeitos que não podem ser detectados como defeitos na imagem da rede.
Fonte: IOPscience
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