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em direção à membrana 3c-sic de alta qualidade em um pseudo-substrato 3c-sic

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em direção à membrana 3c-sic de alta qualidade em um pseudo-substrato 3c-sic

2017-12-27

Destaques

• elaboração de uma membrana 3c-sic lisa sobre um substrato sic .

• superfície facetada para a orientação (110), mas mais suave para a orientação (111).

• rugosidade da membrana 3c-sic limitada a 9 nm para a orientação (111).

• novos dispositivos de mems viáveis.

• as enormes propriedades sic podem ser inteiramente exploradas.


O polipo cúbico de carboneto de silício é um candidato interessante para aplicações de sistemas microeletromecânicos (MEMS) devido às suas tremendas propriedades físico-químicas. o recente desenvolvimento de heteroestruturas sísmicas multi-empilhadas demonstrou a possibilidade de obter uma membrana 3c-sic orientada para (110) sobre um pseudo-substrato 3c-sic, usando uma camada de silício crescida por deposição de vapor químico de baixa pressão como um sacrifício 1. no entanto, a orientação (110) da membrana 3c-sic levou a uma superfície facetada e áspera que poderia dificultar seu uso para o desenvolvimento de novos dispositivos de MEMS. então, nessa contribuição, um processo de crescimento otimizado é usado para melhorar a qualidade da superfície da membrana 3c-sic. o progresso depende do domínio de uma orientação (111) para o filme sic, resultando em uma superfície lisa. essa estrutura otimizada pode ser o ponto de partida para a conquista de novos dispositivos de mems em aplicações médicas ou de ambientes agressivos.

resumo gráfico

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palavras-chave

3c – sic; micro-usinagem; lpcvd; Microestrutura; membrana; mems


fonte: sciencedirect


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