As fundições de silício x-fab e o exagan, um inovador inovador de tecnologia de semicondutores de gálio-nitruro (gan) que permitem conversores elétricos menores e mais eficientes, demonstraram capacidade de produção em massa para fabricar dispositivos de alta tensão de alta eficiência em 200 mm de gan - wafers de silício usando a instalação de produção cmos padrão da x-fab em dresden, alemanha. Esta conquista é o resultado de um acordo de desenvolvimento conjunto lançado em 2015, permitindo vantagens de custo / desempenho que não poderiam ser alcançadas com os wafers menores.

(imagem: fundições de silício x-fab)

O exagan e o x-fab resolveram com êxito muitos dos desafios relacionados ao estresse, defectividade e integração de processos ao usar equipamentos de fabricação padrão e processar receitas. combinado com o uso de wafers de 200 mm, isso reduzirá significativamente o custo da produção em massa de dispositivos gan-on-silicon. permitindo uma maior integração de energia do que os dispositivos de silício, os dispositivos gan podem melhorar a eficiência e reduzir o custo dos conversores elétricos, o que acelerará sua adoção em aplicações, incluindo estações de carregamento de veículos elétricos, servidores, automóveis e sistemas industriais.

(imagem: exagan)

os novos dispositivos gan-on-silicon foram construídos usando substratos fabricados na fábrica de epi de 200 mm da exagan em Grenoble, França. estes epi wafers atendem às especificações físicas e elétricas para produzir os dispositivos g-fet ™ de 650 volts do exagan, bem como os requisitos rigorosos de compatibilidade com as linhas de fabricação cmos.

O trabalho anterior da indústria com gan foi limitado a bolachas de 100 mm e 150 mm devido aos desafios de camadas de filmes de gan) em substratos de silício. A tecnologia g-stack ™ da exagan permite que os dispositivos gan-on-silicon sejam fabricados de forma mais econômica em substratos de 200 mm, depositando uma pilha única de camadas de gerenciamento de esforço e ganhos que aliviam o estresse entre camadas de ganão e silício. os dispositivos resultantes apresentaram alta tensão de ruptura, baixa vazão vertical e operação de alta temperatura.

\"Este é um marco importante no desenvolvimento da nossa empresa à medida que aceleramos o desenvolvimento e capacitação de produtos\", afirmou frédéric dupont, presidente e CEO da exagan. \"Isso demonstra os pontos fortes combinados de nosso material epi, o processo de fabricação de bolacha x-fab e as capacidades de design do nosso dispositivo. Também confirma o sucesso do nosso modelo fab-lite verticalmente integrado, com experiência de materiais para dispositivos e aplicações. É o momento perfeito para estabelecer tecnologia e produtos ganados na plataforma mais competitiva de 200 mm, assim como os produtos de energia ganadora estão obtendo ampla tração no servidor, eletrônicos de consumo e mercados automotivos \".

\"Temos alta confiança na equipe de liderança do exagan e no mapa de desempenho do produto\", disse Rudi de inverno, CEO de x-fab. \"Através desta parceria produtiva, a x-fab está alavancando seus recursos e experiência para levar a tecnologia do exagan à fabricação e fornecer o mercado de conversão de energia com uma cadeia de suprimentos confiável\".

O exagan apresentará sua inovadora tecnologia gan e transistores g-fet no estande # 9-230 na feira comercial pcim europe, 16 a 18 de maio em Nuremberg, Alemanha.

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fonte: ledinside

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