outras bolachas bolacha de lsat quantidade material orientação. Tamanho espessura polonês resistividade digite dopant apartamento principal epd ra pcs (milímetros) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; orientação / cm2 nm 1-100 lsat (100) 50,8 500 ssp n / D n / D n / D n / D \u0026 lt; 0,5 1-100 lsat (100) 10x10 500 ssp n / D n / D n / D n / D \u0026 lt; 0,5 1-100 lsat (110) 10x10 500 ssp n / D n / D n / D n / D \u0026 lt; 0,5 1-100 lsat (111) 10x10 500 ssp n / D n / D n / D n / D \u0026 lt; 0,5 1-100 lsat (100) 10x10 2000 ssp n / D n / D n / D n / D \u0026 lt; 0,5 como um fornecedor de wafer lsat, oferecemos lista de wafer lsat para sua referência, se você precisar de detalhes de preço, entre em contato com nossa equipe de vendas Nota: *** como fabricante, também aceitamos pequena quantidade de pesquisador ou fundição. *** tempo de entrega: depende do estoque que temos, se temos estoque, podemos enviar para você em breve. tio2 bolacha quantidade material orientação. Tamanho espessura polonês resistividade digite dopant apartamento principal epd ra pcs (milímetros) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; orientação / cm2 nm 1-100 tio2 (110) 5x5 500 ssp n / D n / D n / D n / D \u0026 lt; 0,5 1-100 tio2 (011) 5x5 500 ssp n / D n / D n / D n / D \u0026 lt; 0,5 1-100 tio2 (001) 10x10 500 ssp n / D n / D n / D n / D \u0026 lt; 0,5 1-100 tio2 (110) 10x10 500 ssp n / D n / D n / D n / D \u0026 lt; 0,5 1-100 tio2 (011) 10x10 500 ssp n / D n / D n / D n / D \u0026 lt; 0,5 Como um fornecedor de wafer tio2, oferecemos lista de wafer tio2 para sua referência, se você precisar detalhes de preço, entre em contato com nossa equipe de vendas Nota: *** como fabricante, também aceitamos pequena quantidade de pesquisador ou fundição. *** tempo de entrega: depende do estoque que temos, se temos estoque, podemos enviar para você em breve. bolacha de lao quantidade material orientação. Tamanho espessura polonês resistividade digite dopant apartamento principal epd ra pcs (milímetros) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; orientação / cm2 nm 1-100 lao (100) 50,8 500 ± 50 dsp n / D n / D n / D n / D \u0026 lt; 0,5 Como um fornecedor lao wafer, oferecemos lao wafer list para sua referência, se você precisar de detalhes de preços, entre em contato com nossa equipe de vendas Nota: *** como fabricante, também aceitamos pequena quantidade de pesquisador ou fundição. *** tempo de entrega: depende do estoque que temos, se temos estoque, podemos enviar para você em breve. wafer al2o3 quantidade material orientação. Tamanho espessura polonês resistividade digite dopant apartamento principal epd ra pcs (milímetros) (μm) Ω · cm \u0026 emsp; orientação / cm2 nm 1-100 al2o3 (0001) 10x10 500 dsp n / D n / D n / D n / D \u0026 lt; 0,5 1-100 al2o3 (0001) 10x10 500 ssp n / D n / D n / D n / D \u0026 lt; 0,5 1-100 al2o3 (0001) 20x20 500 ssp n / D n / D n / D n / D \u0026 lt; 0,5 1-100 al2o3 (0001) 30x30 500 ssp n / D n / D n / D n / D \u0026 lt; 0,5 como um fornecedor de wafer al2o3, oferecemos lista de wafer al2o3 para sua ref...
sistema de deposição de vapor químico de grafeno Nós fornecemos séries de sistemas grapheme 2d para grapheme, cnt e outros 2d crescimento material. e oferecem o sistema de deposição de vapor químico mais eficiente (cvd) para crescimento de grafeno (é compatível tanto com o crescimento de lpcvd quanto com o apcvd). Nós também podemos ajustar cada um desses sistemas padrão podem ser personalizados para os requisitos de aplicativos específicos do usuário. configurações do sistema: 1) câmara de reação Temperatura de trabalho padrão: ~ 1000 Temperatura máxima de trabalho: ~ 1200 ° c. Poder avaliado: 2,5 kw. Modo de vedação: aço inoxidável, vedação de extrusão de flange rápida kf, Modo de arrefecimento: resfriamento externo da água. 2) gás e controlador pureza do ar: 99,999%; faixa de fluxo: 0-1000 sccm; pureza de h2: 99,999%; faixa de fluxo: 0-200 sccm; pureza ch4 99,999%; faixa de fluxo: 0-10 sccm; 13ch4 * pureza 99%; faixa de fluxo: 0-10 sccm. (*opcional) 3) sistema de vácuo bomba mecânica: velocidade de bombeamento: 400 l / min; pressão base: 1 × 10-3 torr. armadilha de nitrogênio líquido * (* opcional) proteção contra sobrepressão Controlador de vácuo: controle manual da pressão da câmara. (* o modo de controle automático é opcional) 4) módulos de controle nosso software de controle de grafeno cvd para controle de processos em tempo real, registro e exibição de dados, geração e edição de receita. A temperatura, o caudal e a pressão de vácuo são facilmente controlados ou editados por computador. (o controle manual ainda está disponível). As receitas pré-programadas para o crescimento do grafeno são fornecidas aos usuários. nosso objetivo: A comercialização e a produção em massa de novos materiais 2d, como o grafeno, estão rapidamente se tornando uma realidade, e universidades e pesquisadores em todo o mundo estão em orçamentos limitados, mas exigem um alto desempenho de seus equipamentos ou sistemas. Portanto, nosso objetivo é fornecer um excelente sistema cvd grapheme para grafem o crescimento no menor preço para atingir seu alvo de preço. as características: 1) sistema de controle totalmente automático com receitas pré-programadas para crescimento de grafeno. 2) processos de linha de base & assistência de otimização 3) sistemas de padronização ou personalização para qualquer orçamento 4) crescimento de grafeno monocristalino de alto desempenho no tamanho do cristal único até alguns milímetros 5) técnica única de crescimento de rotulagem de isótopos para estudo de dinâmica 6) oferecemos serviços profissionais de instalação e treinamento para ajudar a transição de nossos produtos para o seu ambiente de trabalho, incluindo a aplicação técnica e transferência de conhecimento. o processo de instalação começa com uma revisão detalhada do escopo de trabalho para definir seus requisitos de instalação e treinamento, ambiente do site, geografia, cronograma do projeto e requisitos de relatórios. com base nos requisitos exclusivos do seu sistema, nós atribui...
Wafers / filmes de grafeno Wafers / filmes de grafeno item número descrição mg / animal-10-10 grafeno monocamada em filme de estimação (10 mm x 10 mm) mg / animal-20-20 grafeno monocamada em filme de estimação (20 mm x 20 mm) mg / pet-50-50 grafeno monocamada em filme de estimação (50 mm x 50 mm) mg / pet-100-100 grafeno monocamada em filme de estimação (100 mm x 100 mm) mg / animal-300-200 monocamada de grafeno em filme de estimação (30 0 mm x 200 mm) mg / animal de estimação-500-200 grafeno monocamada em filme pet (500 mm x 200 mm) mg / sio2 / si-10-10 grafeno monocamada em sio2 / silício (10mm x 10mm) mg / sio2 / si-25-25 grafeno monocamada em sio2 / silício (1 polegada x 1 polegada) mg / sio2 / si-100 monometano de grafeno em sio2 / silício (bolacha de 100 mm) bg / sio2 / si-10-10 bicamada de grafeno em sio2 / silício (10 mm x 10 mm) tg / sio2 / si-10-10 Trilayer grafeno em sio2 / silício (10 mm x 10 mm) mg / cu-10-10 grafeno monocamada em cobre (10 mm x 10 mm) mg / cu-20-20 grafeno monocamada em cobre (20 mm x 20 mm) mg / cu-25-25 monometano de grafeno em cobre (1 polegada x 1 polegada) mg / cu-50-50 grafeno monocamada em cu (50 mm x 50 mm) mg / cu-100-50 grafeno monocamada em cu (100 mm x 50 mm) mg / cu-100 monometano de grafeno em cu (bolachas de 100 mm) mg / ni-10-10 Crescimento de grafeno em níquel (10mm x 10mm) mg / ni-20-20 Crescimento de grafeno em níquel (20mm x 20mm) mg / ni-30-20 Crescimento de grafeno em níquel (30 mm x 20 mm) mg / ni-50-20 Crescimento de grafeno em níquel (50mm x 20mm) fonte: pam-xiamen Para mais informações, visite nosso site: www.powerwaywafer.com, envie-nos e-mail para sales@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com
bolacha de silício si wafer substrato -ilicium quantidade material orienta ção. diametro er espessura ss polonês Resisti vidade ty pepino nc mobi lity epd pcs (milímetros) (μm ) Ω · cm \u0026 emsp; a / cm 3 cm 2 / vs /cm 2 1-100 si n / D 25.4 280 ssp 1-100 p / b n / D n / D n / D 1-100 si n / D 25.4 280 ssp 1-100 p / b (1-200) e16 n / D n / D 1-100 si (100) 25.4 525 n / D \u0026 lt; 0.005 n / D n / D n / D n / D 1-100 si (100) 25.4 525 ± 25 ssp \u0026 lt; 0.005 n / D n / D n / D n / D 1-100 si com óxido camada (100) 25.4 525 ± 25 ssp \u0026 lt; 0.005 n / D n / D n / D n / D 1-100 si (100) 25.4 350-500 ssp 1 ~ 10 n / D n / D n / D n / D 1-100 si (100) 25.4 400 ± 25 PE \u0026 lt; 0,05 p / n / D n / D n / D 1-100 si (100) 50,4 400 ± 25 PE \u0026 lt; 0,05 p / n / D n / D n / D 1-100 p-si com 90 nm sio2 (100) 50,4 500 ± 25 PE \u0026 lt; 0,05 p / n / D n / D n / D 1-100 n-si com 90 nm sio2 (100) 50,4 500 ± 25 PE \u0026 lt; 0,05 n / n / D n / D n / D 1-100 p-si com 285 nm sio2 (100) 50,4 500 ± 25 PE \u0026 lt; 0,05 n / n / D n / D n / D 1-100 n-si com 285 nm sio2 (100) 50,4 500 ± 25 PE \u0026 lt; 0,05 n / n / D n / D n / D 1-100 si com eletrodos (100) 50,8 400 n / D \u0026 lt; 0,05 n / p 1e14-1e15 n / D n / D 1-100 si (100) 50,8 275 ssp 1 ~ 10 n / D n / D n / D n / D 1-100 si (100) 50,8 275 ± 25 ssp 1 ~ 10 n / p n / D n / D n / D 1-100 si (111) 50,8 350 ± 15 ssp \u0026 gt; 10000 n / D n / D n / D n / D 1-100 si (100) 50,8 430 ± 15 ssp 5000-8000 n / D n / D n / D n / D 1-100 si (111) 50,8 410 ± 15 ssp 1 ~ 20 n / D n / D n / D n / D 1-100 si (111) 50,8 400-500 ssp \u0026 gt; 5000 n / D n / D n / D n / D 1-100 si (100) 50,8 525 ± 25 ssp 1 ~ 50 n / D n / D n / D n / D 1-100 si (100) 50,8 500 ± 25 ssp 1 ~ 10 n p n / D n / D n / D 1-100 si (100) 50,8 500 ± 25 p / p \u0026 gt; 700 p / n / D n / D n / D 1-100 si (100) 76.2 400 ± 25 PE \u0026 lt; 0,05 p / n / D n / D n / D 1-100 p-si com 90 nm sio2 (100) 76.2 500 ± 25 PE \u0026 lt; 0,05 p / n / D n / D n / D 1-100 n-si com 90 nm sio2 (100) 76.2 500 ± 25 PE \u0026 lt; 0,05 n / n / D n / D n / D 1-100 p-si com 285 nm sio2 (100) 76.2 500 ± 25 PE \u0026 lt; 0,05 n / n / D n / D n / D 1-100 n-si com 285 nm sio2 (100) 76.2 500 ± 25 PE \u0026 lt; 0,05 n / n / D n / D n / D 1-100 si (100) 100 625 ssp \u0026 gt; 10000 n / D n / D n / D n / D 1-100 si (100) 100 525 ssp n / D n / p n / D n / D n / D 1-100 si (100) 100 320 ssp \u0026 gt; 2500ohm · cm p / b n / D n / D n / D 1-100 si (100) 100 n / D ssp 10 ~ 30 n / p n / D n / D n / D 1-100 si (100) 100 505 ± 25 ssp 0,005-0,20 n / p-dopado n / D n / D n / D 1-100 si (100) 100 381 ssp 0,005-0,20 n / p-dopado n / D n / D n / D 1-100 si (100) 100 525 dsp 1-100 n / D n / D n / D n / D 1-100 si (100) 100 525 dsp 1-100 n / D n / D n / D n / D 1-100 si (100) 100 625 ± 25 ssp 0.001-0.004 n / D n / D n / D n / D 1-100 si com óxido camada 3000a (100) 100 675 ± 25 ssp 0.001-0.004 n / D n / D n / D n / D 1-100 si (100) 100 625 ± 25 ssp 0.001-0.004 n / D n / D n / D n / D 1-100...
substratos para deposição de filmes nitretos iii-v cristal estrutura p.f. densidade treliça mis-match para gan expansão térmica tecnologia de crescimento. & tamanho máximo Tamanho padrão do substrato (mm) o c g / cm 3 (10 -6 / k) sic (6h como exemplo) hexagonal ~ 2700 3,21 3,5% de atori. 10,3 cvd Ø2 \"x 0,3, Ø3\" x0,3 a = 3,073 Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; 20x20x0,3,15x15x0,3 c = 15,117 Å \u0026 emsp; Ø3 “ 10x10x0,3,5x5x0,3 \u0026 emsp; subl. \u0026 emsp; 1 lado epi polido al 2 o 3 hexagonal 2030 3,97 14% de atori. 7,5 cz Ø50 x 0,33 a = 4,758 Å \u0026 emsp; Ø25 x 0,50 c = 12,99 Å Ø2 ” 10x10x0,5 \u0026 emsp; \u0026 emsp; 1 ou 2 lados epi polido lialo 2 tetragonal 1900 ~ 2,62 1,4% atori. / cz 10x10x0,5 a = 5,17 Å Ø20 mm 1 ou 2 lados epi polido c = 6,26 Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; ligao 2 orthor. 1600 4,18 0,2% de atori. / cz 10x10x0,5 a = 5,406 Å Ø20 mm 1 ou 2 lados epi polido b = 5.012Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; c = 6,379 Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; mgo cúbico 2852 3,58 3% de atori. 12,8 fluxo 2 ”x2” x 0,5 mm, Ø2 ”x 0,5 mm a = 4,216 Å \u0026 emsp; 1 \"x1\" x 0,5 mm, Ø1 \"x 0,5 mm \u0026 emsp; Ø2 \" 10 x 10x0,5 mm 1 ou 2 lados epi polido mgal 2 o 4 cúbico 2130 3,6 9% de atori. 7,45 cz Ø2 \"x 0,5 a = 8,083 Å Ø2 “ 10x10x0,5 \u0026 emsp; \u0026 emsp; 1 ou 2 lados epi polido zno hexag. 1975 5,605 2,2% atori. 2,9 hidrotérmico 20x20x0,5 a = 3,325 Å 20 mm 1 ou 2 lados epi polido c = 5,213 Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; gan hexagonal \u0026 emsp; 6,15 \u0026 emsp; 5,59 \u0026 emsp; 10x10x0,475mm \u0026 emsp; \u0026 emsp; 5x5x0,475mm
substratos supercondutores cristal estrutura p.f. densidade expansão térmica constante dielétrica tecnologia de crescimento. & max. Tamanho padrão 1 ou 2 lados epi polido bolacha o c g / cm 3 \u0026 emsp; lsat cúbico 1840 6,74 10 22 cz 20x20x0.5mm (laalo3) 0.3 - (sr2altao8) 0,7 a = 3.868 Å Ø35mm 10x10x0.5mm laalo3 rombo. 2100 6,51 9,2 24,5 cz Ø3 \"x0.5mm a = 3,790 Å Ø3 \" Ø2 \"x0.5mm c = 13,11 Å \u0026 emsp; Ø1 \"x0.5mm \u0026 emsp; \u0026 emsp; 10x10x0.5mm mgo cúbico 2852 3,58 12,8 9,8 fluxo Ø2 \"x0.5mm a = 4,21 Å Ø2 \" 10x10x0.5mm ndgao3 orthor. 1600 7,57 7,8 25 cz Ø2 \"x0.5mm a = 5,43 Å Ø2 \" 10x10x0.5mm b = 5,50 Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; c = 7,71 Å \u0026 emsp; \u0026 emsp; srtio3 cúbico 2080 5,12 10,4 300 vernuil 10x10x0.5mm a = 3,90 Å Ø30mm srlaalo4 tetrag. 1650 16,8 cz 10x10x0.5mm a = 3,756 Å Ø20mm c = 12,63 Å \u0026 emsp; yalo 3 orthor. 1870 4,88 2 ~ 10 16`20 cz 10x10x0.5mm a = 5.176 Å b = 5,307 Å Ø30mm c = 7,35 Å \u0026 emsp; ysz cúbico ~ 2500 5,8 10,3 27 fluxo Ø2 \"x0.5mm a = 5,125 Å Ø2 \" 10x10x0.5m
filme epi / thin em substrato substrato gan / template sio2 + si3n4 em substrato de bolacha de silício gaas / algas no substrato gaas (si) filme sic 4h em substrato 4h-sic filme fino aln substrato filme de alumínio substrato nitreto de silício em substrato 7980 corning la0.7sr0.3mno3 + pbzr (x) ti (1-x) o3 no substrato nb (srtio3) diamante em substrato de bolacha de silício filme condutivo （ nanowir de prata planarizado ） substrato fto filme em substratos nitreto de silício em substrato de silício substrato de filme la0.5sr0.5tio3 bolacha de silício revestida / substrato de lâminas de vidro ge epi-film no substrato si au (orientado substrato policristalino) / cr / sio2 / si filme de grafeno em substrato ni / sio2 / si au (orientado substrato policristalino) / ti / sio2 / si pbzrxti 1-xo3 (pzt) substrato la0.7sr0.3mno3 + pbzr (x) ti (1-x) o3 no substrato srtio3 prata (ag) no substrato de wafer si filme de mos2 epi em substrato sio2 / si substrato de filme srmoo4 ba1 xsrxtio3 filme em substrato (pt / ti / sio2 / si) substrato de vidro sodalime mo revestido substrato de filme srruo3 ito revestido (sodalime) de vidro / substrato de plástico ni revestido e substrato Soi wafer (si no isolador ) substrato substrato de vidro sodalime revestido com tio2 substrato de óxido térmico nitreto de boro em silício ito / zno revestido substrato de vidro sodalime filme bifeo3 em substrato si + sio2 + ti (ou substrato de película fina tio2) + pt filme de ybco epi em srtio3, laalo3, substrato al2o3 yig epi film on substrato ggg ceo2 epi thin filme em substrato ysz filme de cu epi em substrato ingaas epi on substrato de inp filme fino zno em substrato de safira sos (silício em safira) substrato filme zno / pt / ti no substrato si zno on substrato de vidro / sílica fundida filme zno / au / cr no substrato si filme lanio3 substrato algan substrato/ modelo
único cristal ceo2 crystal fe3o4 crystal sno2 crystal cristal cu2o fe2o3 cristal mno crystal cristal prsco3 substrato cristal ndsco3 substrato cristal ndsco3 substrato cristal gdsco3 substrato cristal dysco3 substrato bolacha de soi ti terminal srtio3 hopg （ pirolítico altamente orientado grafite ） filme zno / cal2o3 ain na bolacha de safira
informações de contato
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
