É apresentado um comutador microeletromecânico (rpm) de dupla atuação com alta isolação e baixa tensão para aplicações em rf e microondas. a tensão de operação da estrutura de comutação de rf mems verticais de dupla atuação sugerida foi reduzida sem diminuir a atuação lacuna . teoricamente, a tensão de operação da estrutura sugerida é cerca de 29% menor do que a de um comutador de rf vertical de atuação única com o mesmo método de fabricação, área de eletrodo e folga de contato igual.

O interruptor de RF proposto foi fabricado por micro-usinagem de superfície com sete foto-máscaras em uma bolacha de quartzo. para conseguir a planarização e a estrutura em forma de escada, uma camada de sacrifício de poliimida foi revestida por rotação, curada e gravada em dois passos e padronizada por um passo de gravação a seco que define o mecanismo de dupla actuação. os resultados medidos da chave rf mems demonstraram que a perda de inserção foi menor que 0,11 db para o estado de 20 v, o isolamento foi maior que 39,1 db para o estado desligado e a perda de retorno foi melhor que 32,1 db para a 20 v no estado de dc a 6 ghz. a tensão mínima de entrada do interruptor de rf mems fabricado foi de 10 v.

fonte: iopscience

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