pam-xiamen desenvolve lingotes de cristal único de antimonido de gálio (gasb) de alta qualidade. Nós tambem rodamos as bolachas de gás e de corte cortadas, colhidas e polidas e podemos fornecer uma qualidade de superfície epi-ready. o cristal de gás é um composto formado por 6n elemento puro de ga e sb e é cultivado por meio de método czochralski (lec) encapsulado líquido com epd \u0026 lt; 1000 c...
subestruturas de sub-monocamada altamente tensionadas e tensionadas gasb foram cultivadas por epitaxia por feixe molecular e estudadas por microscopia de tunelamento por ultra-vácuo. quatro diferentes taxas de cobertura de nanoestruturas ge em gasb são alcançadas e investigadas. Verifica-se que o crescimento do ge no gasb segue o modo de crescimento 2d. a estrutura cristalina da sub-monocamada ge ...
Os monocristais GaSb dopados com te são estudados medindo o efeito Hall, os espectros de transmissão infravermelha (IV) e de fotoluminescência (PL). Verifica-se que o GaSb n-type com transmitância IR pode ser obtido em até 60% pelo controle crítico da concentração Te-doping e compensação elétrica. A concentração dos defeitos associados ao receptor nativo é aparentemente baixa no GaSb em comparação...
Experimentos ortogonais de crescimento de filmes GaSb em Substrato de GaAs foram projetados e executados usando um sistema de baixa deposição de vapor químico orgânico de metal (LP-MOCVD). As cristalinidades e microestruturas dos filmes produzidos foram comparativamente analisadas para atingir os parâmetros ótimos de crescimento. Foi demonstrado que o filme fino GaSb otimizado tem uma largura tota...
Os recentes avanços no crescimento de filmes epitaxiais de SiC em Si são vistos. Os métodos clássicos básicos atualmente usados para o crescimento de filmes de SiC são discutidos e suas vantagens e desvantagens são exploradas. A ideia básica e o embasamento teórico para um novo método de síntese de filmes epitaxiais de SiCem Si são dadas. Será mostrado que o novo método é significativamente dife...
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