xiamen powerway avançado material co., ltd., um dos principais fornecedores de epi serviço para gaas laser baseado wafers crescimento e outros produtos e serviços relacionados anunciou a nova disponibilidade de tamanho 3 \"é a produção em massa em 2017. este novo produto representa um natural adição à Pam-Xiamen linha de produtos. dr. Shaka, disse: \"Temos o prazer de oferecer aos nossos clientes uma estrutura quântica de laser, incluindo muitos que estão desenvolvendo melhor e mais confiável para o elemento ativo básico (fonte de luz laser) da comunicação de fibra óptica. Nossa estrutura epitaxial diodo laser tem excelente propriedades, lasers de poços quânticos baseados em wafers de arsenieto de gálio e fosforeto de índio, lasers utilizando poços quânticos e os modos de elétrons discretos são fabricados pelas técnicas movve e mbe, são produzidos em uma variedade de comprimentos de onda do ultravioleta ao regime thz. lasers dependem de materiais à base de nitreto de gálio.Os lasers de comprimento de onda mais longos contam com o projeto de laser quântico em cascata.Os lasers de poços quânticos atraíram muita atenção por suas muitas vantagens como baixa densidade de corrente de limiar, excelente característica de temperatura, alta taxa de modulação e ajustabilidade de comprimento de onda, etc., a disponibilidade melhora os processos de crescimento de bolinha e wafering. \" e \"nossos clientes agora podem se beneficiar do maior rendimento de dispositivo esperado ao desenvolver transistores avançados em um substrato quadrado. Nosso serviço epi para o crescimento de lâminas de laser gaas é natural pelos nossos esforços contínuos, atualmente estamos dedicados a desenvolver continuamente mais confiabilidade produtos.\"
Pam-Xiamen A linha de produtos de lâminas de laser baseadas em gaas aprimorada beneficiou-se de tecnologia forte, suporte de universidade nativa e centro de laboratório.
agora mostra um exemplo da seguinte forma:
Estrutura do laser de 808nm ingaasp / inp mqw
|
camada |
material |
x |
tensão tolerância |
pl |
espessura |
tipo |
nível |
|
|
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
(ppm) |
(nm) |
(um) |
\u0026 emsp; |
(cm-3) |
|
8 |
Gaas |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
0,1 |
p |
\u0026 gt; 2.00e19 |
|
7 |
ganho (x) p |
0,49 |
\u0026 emsp; |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
0,05 |
p |
\u0026 emsp; |
|
6 |
[al (x) ga] em (y) p |
0,3 |
0,49 |
+/- 500r |
\u0026 emsp; |
1 |
p |
\u0026 emsp; |
|
5 |
ganho (x) p |
0,49 |
\u0026 emsp; |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
0,5 |
u / d |
\u0026 emsp; |
|
4 |
gaas (x) p |
0,86 |
\u0026 emsp; |
+/- 500 |
798 |
0,013 |
u / d |
\u0026 emsp; |
|
3 |
ganho (x) p |
0,49 |
\u0026 emsp; |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
0,5 |
u / d |
\u0026 emsp; |
|
2 |
[al (x) ga] em (y) p |
0,3 |
0,49 |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
1 |
n |
\u0026 emsp; |
|
1 |
Gaas |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
0,5 |
n |
\u0026 emsp; |
|
|
substrato gaas |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
n |
\u0026 emsp; |
sobre o material avançado avançado co de xiamen., ltd
encontrado em 1990, xiamen powerway avançado material co., ltd ( Pam-Xiamen ) é um fabricante líder de material semicondutor composto na China. A pam-xiamen desenvolve tecnologias avançadas de crescimento de cristal e epitaxia, processos de fabricação, substratos projetados e dispositivos semicondutores. As tecnologias da pam-xiamen possibilitam maior desempenho e menor custo de fabricação de wafer semicondutor.
sobre a estrutura do laser bem quântico
um laser de poços quânticos é um diodo de laser no qual a região ativa do dispositivo é tão estreita que ocorre o confinamento quântico. diodos de laser são formados em materiais semicondutores compostos que (ao contrário do silício) são capazes de emitir luz de forma eficiente. o comprimento de onda da luz emitida por um laser de poços quânticos é determinado pela largura da região ativa e não apenas pelo bandgap do material a partir do qual é construído. [1] Isso significa que comprimentos de onda muito maiores podem ser obtidos de lasers de poços quânticos do que de diodos de laser convencionais usando um material semicondutor específico. a eficiência de um laser de poços quânticos também é maior que um diodo de laser convencional devido à forma gradativa de sua função de densidade de estados.
q & a
c: estamos procurando um fornecedor de wafers de laser epitaxiais à base de gaas para as seguintes faixas de comprimento de onda: 780nm e 808nm. dimensões adequadas do substrato são 2 ”ou 3” (preferenciais). por favor, deixe-me saber se sua empresa tem experiência na fabricação de tais lâminas de laser. Se sim, por favor, deixe-me saber se você pode fornecer projetos genéricos para nossa consideração.
p: obrigado pela sua pergunta, sim, podemos oferecer, você pode oferecer estrutura?
c: obrigado pelo seu feedback. por favor, encontrar projetos 780nm e 808nm em anexo. por favor, deixe-me saber se os projetos estão bem e deixe-me também saber que tipo de teste do seu lado será realizado para garantir que a qualidade do material é de grau laser?
Estrutura do laser 780nm
|
camada |
material |
x |
tensão tolerância |
pl |
espessura |
tipo |
nível |
|
|
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
(ppm) |
(nm) |
(um) |
\u0026 emsp; |
(cm-3) |
|
8 |
Gaas |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
0,1 |
p |
\u0026 gt; 2.00e19 |
|
7 |
ganho (x) p |
0,49 |
\u0026 emsp; |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
0,05 |
p |
\u0026 emsp; |
|
6 |
[al (x) ga] em (y) p |
0,3 |
0,49 |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
1 |
p |
\u0026 emsp; |
|
5 |
ganho (x) p |
0,49 |
\u0026 emsp; |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
0,5 |
u / d |
\u0026 emsp; |
|
4 |
gaas (x) p |
0,77 |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
770 |
\u0026 emsp; |
u / d |
\u0026 emsp; |
|
3 |
ganho (x) p |
0,49 |
\u0026 emsp; |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
0,5 |
u / d |
\u0026 emsp; |
|
2 |
[al (x) ga] em (y) p |
0,3 |
0,49 |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
1 |
n |
\u0026 emsp; |
|
1 |
Gaas |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
0,5 |
n |
\u0026 emsp; |
|
|
substrato gaas |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
n |
\u0026 emsp; |
Estrutura do laser 808nm
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camada |
material |
x |
tensão tolerância |
pl |
espessura |
tipo |
nível |
|
|
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
(ppm) |
(nm) |
(um) |
\u0026 emsp; |
(cm-3) |
|
8 |
Gaas |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
0,1 |
p |
\u0026 gt; 2.00e19 |
|
7 |
ganho (x) p |
0,49 |
\u0026 emsp; |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
0,05 |
p |
\u0026 emsp; |
|
6 |
[al (x) ga] em (y) p |
0,3 |
0,49 |
+/- 500r |
\u0026 emsp; |
1 |
p |
\u0026 emsp; |
|
5 |
ganho (x) p |
0,49 |
\u0026 emsp; |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
0,5 |
u / d |
\u0026 emsp; |
|
4 |
gaas (x) p |
0,86 |
\u0026 emsp; |
+/- 500 |
798 |
0,013 |
u / d |
\u0026 emsp; |
|
3 |
ganho (x) p |
0,49 |
\u0026 emsp; |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
0,5 |
u / d |
\u0026 emsp; |
|
2 |
[al (x) ga] em (y) p |
0,3 |
0,49 |
+/- 500 |
\u0026 emsp; |
1 |
n |
\u0026 emsp; |
|
1 |
Gaas |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
0,5 |
n |
\u0026 emsp; |
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substrato gaas |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
\u0026 emsp; |
n |
\u0026 emsp; |
c: podemos oferecer relatório de teste de pl de mqw e xrd de algainp.
palavras-chave: quantum laser bem, al livre, estrutura do laser, mqw laser,
aplicações quânticas a laser de poços, trabalhando com laser de poços quânticos,
único poço quântico laser, laser bem quântico
Para mais informações, por favor visite nosso website: http: // www.semiconductorwafers.net ,
envie-nos um e-mail em angel.ye@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com
informações de contato
luna@powerwaywafer.compowerwaymaterial@gmail.com 
+86-592-5601 404
