(1 1 1), (1 1 0) Cd0.96Zn0.04Te e (1 1 1) Cd0.9Zn0.1Te wafers semicondutores crescidos pelo método Bridgman vertical modificado com dimensões de 10 mm × 10 mm × 2,5 mm foram lapidados com uma solução poligonal de Al2O3 de 2 a 5 µm e depois polida quimicamente mecanicamente por uma solução ácida com nanopartículas com um diâmetro de cerca de 5 nm, correspondendo às rugosidades superficiais Ra de 2,135 nm, 1,968 nm e 1,856 nm. A dureza e o módulo de elasticidade dos monocristais (1 1 1), (1 1 0) Cd0.96Zn0.04Te e (1 1 1) Cd0.9Zn0.1Te são 1,21 GPa, 42,5 GPa; 1,02 GPa, 44,0 GPa; e 1,19 GPa, 43,4 GPa, respectivamente. Depois que o nanocorte é realizado pelo nanoindentador Berkovich, a rugosidade da superfície Ra do monocristal (1 1 1) Cd0.9Zn0.1Te atinge uma superfície ultralisa de 0,215 nm. A dureza e o módulo de elasticidade de três tipos deOs monocristais de CdZnTe diminuem com o aumento da carga de indentação. Quando o nanoindentador sai da superfície dos cristais, os efeitos de aderência são óbvios para os três tipos de monocristais. Isso é atribuído ao comportamento de aderência plástica do material CdZnTe em nível nanoescala. Quando a carga de indentação dos três tipos de monocristais de CdZnTe está na faixa de 4.000 a 12.000 µN, o material CdZnTe aderido ao nanoindentador cai na superfície e se acumula ao redor da nanoindentação.

Fonte: IOPscience

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