Filmes de AlGaN/ GaN foram cultivados em substratos de Si(111) carbonizados, que foram empregados para evitar que impurezas, como átomos residuais de Ga, reagissem e deteriorassem a superfície dos substratos de Si. O processo de limpeza para o canal de fluxo na deposição de vapor químico orgânico de metal (MOCVD) pode ser efetivamente eliminado usando este substrato de Si carbonizado, e filmes de AlGaN/GaN de alta qualidade foram obtidos.
Fonte: IOPscience
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