monocristalinos e bolachas (germanium)

geral  estrutura de propriedades

cúbico a =  5.6754 Å

densidade: 5.765  g / cm3

fusão  ponto: 937,4 oc

térmico  condutividade: 640

crescimento de cristais  tecnologia

czochralski

doping  acessível

não dopado

dopagem de sb

doping ou  ga

tipo condutor

/

n

p

resistividade, ohm.cm

u0026 gt; 35

u0026 lt; 0,05

0,05 - 0,1

epd

u0026 lt; 5x10 ³ /cm ²

u0026 lt; 5x10 ³ /cm ²

u0026 lt; 5x10 ³ /cm ²

u0026 lt; 5x10 ² /cm ²

u0026 lt; 5x10 ² /cm ²

u0026 lt; 5x10 ² /cm ²

grau eletrônico

usado para diodos  e transistores,

infravermelho ou  nota óptica

usado para ir  janela ou discos ópticos, componentes ópticos

grau celular

usado para substratos de  célula solar

cristal  orientação

u0026 lt; 111 u0026 gt; u0026 lt; 100 u0026 gt;  e u0026 lt; 110 u0026 gt; ± 0,5 ^o ou orientação personalizada

bola de cristal como  crescido

1 "~  Comprimento de 6 "de diâmetro x 200 mm

padrão em branco  como cortado

1 "x 0,5mm

2 "x0.6mm

4 "x0.7mm

5 "& 6" x0.8mm

padrão  bolacha polida (um / dois lados polidos)

1 "x 0,30 mm

2 "x0,5mm

4 "x0,5mm

5 "& 6" x0.6mm

item

especificações

observações

método de crescimento

vgf

tipo de condução

n-tipo, tipo p,  não dopado

dopante

gálio ou  antimônio

wafer diamter

2, 3,4 e amp; 6

polegada

cristal  orientação

(100), (111), (110)

espessura

200 ~ 550

um

do

ej ou nós

transportadora  concentração

pedido sobre  clientes

u0026 emsp;

resistividade em  rt

(0,001 ~ 80)

ohm.cm

Densidade do poço gravado

u0026 lt; 5000

/ cm2

marcação a laser

a pedido

acabamento de superfície

p / e ou p / p

epi pronto

sim

pacote

bolacha única  recipiente ou cassete

u0026 emsp;

Bolacha de 4 polegadas  especificação

para células solares

u0026 emsp;

doping

p

u0026 emsp;

doping  substâncias

ge-ga

u0026 emsp;

diâmetro

100 ± 0,25  milímetros

u0026 emsp;

orientação

(100) 9 ° fora  em direção a u0026 lt; 111 u0026 gt; +/- 0,5

fora de orientação  ângulo de inclinaçao

n / D

u0026 emsp;

apartamento primário  orientação

n / D

u0026 emsp;

apartamento primário  comprimento

32 ± 1

milímetros

apartamento secundário  orientação

n / D

u0026 emsp;

apartamento secundário  comprimento

n / D

milímetros

cc

(0,26-2,24) e18

/c.c

resistividade

(0,74-2,81) e-2

ohm.cm

elétron  mobilidade

382-865

cm2 / v.s.

epd

u0026 lt; 300

/ cm2

marca de laser

n / D

u0026 emsp;

espessura

175 ± 10

μm

ttv

u003c 15

μm

Tir

n / D

μm

arco

u0026 lt; 10

μm

urdidura

u003c 10

μm

face frontal

polido

u0026 emsp;

Face traseira

chão

u0026 emsp;