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substrato de gancho autônomo
pam-xiamen estabeleceu a tecnologia de fabricação de bolacha de substrato de gancho independente (galão de nitreto), que é para uhb-led e ld. cultivado por tecnologia de epitaxia em fase de vapor de hidreto (hvpe), nosso substrato de ganhado tem baixa densidade de defeito. -
aplicação sic
Devido às propriedades físicas e eletrônicas do SIC, o dispositivo à base de carboneto de silício é adequado para dispositivos eletrônicos optoeletrônicos de curto comprimento de onda, alta temperatura, radiação e alta potência / alta freqüência, em comparação com o dispositivo baseado em si e gaas.tags quentes : aplicação sic bolacha bolacha diodo sic propriedades do carboneto de silício mosfet de carboneto de silício
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bolacha inp
Xiamen Powerway oferece inp wafer - fosfeto de índio que são cultivadas por lec (ccochralski encapsulado líquido) ou vgf (congelamento de gradiente vertical) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou ( 100).tags quentes : bolacha inp substrato inp bolacha de fosforeto de índio substrato de fosforeto de índio preço inep wafer fabricantes de fosforeto de índio
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bolacha insípida
A xiamen powerway oferece insb wafer - indium antimonide que são cultivadas por lec (ccochralski encapsulado líquido) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou (100).tags quentes : bolacha insípida substrato insb bolacha antimonida de índio substrato antimonido de índio Propriedades antimonidas de índio preço insípido
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na bolacha
A xiamen powerway oferece arseneto de indio-indio que é cultivado por lec (ccochralski encapsulado líquido) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em diferentes orientações (111) ou (100).tags quentes : na bolacha no substrato bolacha de arsenieto de índio substrato de arseneto de índio semicondutor de arsenieto de índio estrutura do arsenieto de índio
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bolacha de gás
A linha de energia de xiamen oferece gasferina - antimônio de gálio que são cultivados por lec (ccochralski encapsulado em líquido) como epi-ready ou grau mecânico com tipo n, tipo p ou semi-isolante em orientação diferente (111) ou (100)