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bolacha de estrutura ingaas

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bolacha de estrutura ingaas

2018-02-13

O arsenieto de índio gálio (ingaas), também chamado de arsenieto de gálio e índio, é um nome comum para uma família de compostos químicos de três elementos químicos, índio, gálio e arsênico. índio e gálio são ambos elementos do grupo boro, freqüentemente chamados de \"grupo iii\", enquanto arsênio é um elemento pnictógeno ou \"grupo v\". na física de semicondutores, compostos de elementos nesses grupos são freqüentemente chamados de compostos \"iii-v\". por pertencerem ao mesmo grupo, índio e gálio desempenham papéis semelhantes na ligação química, e ingaas é frequentemente considerado como uma liga de arsenieto de gálio e arseneto de índio, com suas propriedades sendo intermediárias entre os dois e dependendo da proporção de gálio para índio . sob condições típicas, o ingaas é um semicondutor, e é especialmente significativo na tecnologia optoeletrônica, razão pela qual tem sido extensivamente estudado.


atualmente podemos oferecer uma nova wafer de estrutura ingaas de 2 \"da seguinte maneira:



estrutura1:

inp (undoped) (4 ~ 5 nm)

in0.53ga0.47as (levemente tipo p)

(20 nm)

inp (não dopado) (30 nm)

in0.52al0.48as (levemente tipo p)

(100 ~ 200 nm)

Inp sub de 2 polegadas (não dopado ou tipo p)

estrutura2:

n ++ ingaas (~ 30 nm) (5 × 1019 cm-3, maior é melhor)

inp (undoped) (~ 3 nm)

in0.53ga0.47as (não dopadas) (10 nm)

in0.52al0.48as (não dopadas) (100 ~ 200 nm)

Inp de 2 polegadas

estrutura3

n ++ ingaas (~ 30 nm) (5 × 1019 cm-3, maior é melhor)

inp (não dopado) (3 ~ 5 nm)

in0.7ga0.3as (sem dopada) (3 nm)

inas (não dopada) (2 nm)

in0.53ga0.47as (não dopadas) (5 nm)

em0.52al0.48as (sem dopado) (200 nm)

si (tamanho da bolacha: maior é melhor.)

estrutura4:

inp (undoped) (4 ~ 5 nm)

in0.53ga0.47as (levemente tipo p)

(20 nm)

in0.52al0.48as (não dopadas) (10 nm)

camada de buffer exigida

si

estrutura:

n ++ ingaas (~ 30 nm) (5 × 1019 cm-3, maior é melhor)

inp (undoped) (~ 3 nm)

in0.53ga0.47as (não dopadas) (10 nm)

in0.52al0.48as (não dopadas) (10 nm)

camada de buffer

si


fonte: pam-xiamen


Se você precisar de mais informações sobre a nossa nova estrutura wafer ingaas, por favor visite nosso website: http: // www.powerwaywafer.com ,

envie-nos um e-mail em sales@powerwaywafer.comwww.semiconductorwafers.net ou powerwaymaterial@gmail.com .





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