Processos de crescimento epitaxial para Polipletos de SiC em que um Substrato de SiC é empregado são estudados usando um modelo de crescimento em camadas. Os diagramas de fase correspondentes dos processos de crescimento epitaxial são dados. Os cálculos dos primeiros princípios são usados para determinar os parâmetros no modelo de crescimento em camadas. Os diagramas de fase de crescimento em camadas mostram que quando o rearranjo de átomos em uma superfície de bicamada Si-C é permitido, a estrutura 3C-SiC é formada.
Quando o rearranjo de átomos em duas bicamadas Si-C de superfície é permitido, o 4H-SiC estrutura é formada. Quando o rearranjo de átomos em mais de duas bicamadas Si-C de superfície, exceto o caso de cinco bicamadas Si-C de superfície, é permitido, a estrutura 6H-SiC é formada, que também é mostrada como sendo a estrutura do estado fundamental. Quando o rearranjo de átomos em cinco superfícies de bicamadas Si-C é permitido, a estrutura 15R-SiC é formada. Assim, a fase 3C-SiC cresceria epitaxialmente a baixa temperatura, a fase 4H-SiC cresceria epitaxialmente a temperatura intermediária e a 6H-SiC ou as fases 15R-SiC cresceriam epitaxialmente a temperatura mais alta.
fonte: iopscience
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