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Modelagem de crescimento em camadas de processos de crescimento epitaxial para poliposes de SiC

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Modelagem de crescimento em camadas de processos de crescimento epitaxial para poliposes de SiC

2019-01-08

Processos de crescimento epitaxial para Polipletos de SiC em que um Substrato de SiC é empregado são estudados usando um modelo de crescimento em camadas. Os diagramas de fase correspondentes dos processos de crescimento epitaxial são dados. Os cálculos dos primeiros princípios são usados ​​para determinar os parâmetros no modelo de crescimento em camadas. Os diagramas de fase de crescimento em camadas mostram que quando o rearranjo de átomos em uma superfície de bicamada Si-C é permitido, a estrutura 3C-SiC é formada.


Quando o rearranjo de átomos em duas bicamadas Si-C de superfície é permitido, o 4H-SiC estrutura é formada. Quando o rearranjo de átomos em mais de duas bicamadas Si-C de superfície, exceto o caso de cinco bicamadas Si-C de superfície, é permitido, a estrutura 6H-SiC é formada, que também é mostrada como sendo a estrutura do estado fundamental. Quando o rearranjo de átomos em cinco superfícies de bicamadas Si-C é permitido, a estrutura 15R-SiC é formada. Assim, a fase 3C-SiC cresceria epitaxialmente a baixa temperatura, a fase 4H-SiC cresceria epitaxialmente a temperatura intermediária e a 6H-SiC ou as fases 15R-SiC cresceriam epitaxialmente a temperatura mais alta.


fonte: iopscience

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