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pam-xiamen oferece camada de algas no substrato Gaas

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pam-xiamen oferece camada de algas no substrato Gaas

2017-05-19

xiamen powerway advanced material co., ltd., um fornecedor líder de algaa s camada e outros produtos e serviços relacionados anunciou que a nova disponibilidade de tamanho 2 \"-3\" está em produção em massa em 2017. Este novo produto representa uma adição natural à linha de produtos de pam-xiamen.


dr. Shaka, disse: \"temos o prazer de oferecer algaas camada para nossos clientes, incluindo muitos que estão se desenvolvendo melhor e mais confiável para os diodos laser de estrutura dupla hetero estrutural com 700 bits e 700 nm-1100 nm com base em Gaas. nosso algaas A camada possui excelentes propriedades, é usada como material de barreira em dispositivos de heterosestrutura baseados em gaas. a algaas A camada limita os elétrons a uma região de arsenieto de gálio. Um exemplo desse dispositivo é um fotodetector infravermelho de quantum bem (qwip). a disponibilidade melhora o crescimento de boule e os processos de wafering \".\" e \"nossos clientes agora podem se beneficiar do aumento do rendimento do dispositivo esperado ao desenvolver transistores avançados em um substrato quadrado. nosso algaas A camada é natural por produtos de nossos esforços em andamento, atualmente nos dedicamos a desenvolver produtos com maior segurança contínua \".


pam-xiamen melhorou algaas A linha de produtos beneficiou de tecnologia forte. apoio da universidade nativa e centro de laboratório.


agora mostra um exemplo da seguinte maneira:


3 \"algaas / gaas / algaas no substrato Gaas

espessura de cada epilayer 1μm

densidade de dopante para a camada de gaas 10 ^ 17-10 ^ 18 / cm3

al_xga_1-xas estequiometria x ~ 0,3


sobre o material avançado xiamen powerway co., ltd


encontrado em 1990, xiamen powerway material avançado co., ltd (pam-xiamen) é um fabricante líder de material semicondutor composto na China. O pam-xiamen desenvolve tecnologias avançadas de crescimento de cristais e epitaxia, processos de fabricação, substratos de engenharia e dispositivos semicondutores. As tecnologias da pam-xiamen permitem maior desempenho e menor custo de fabricação de bolacha semicondutora.


sobre algaas


O arsenieto de alumínio e gálio (também arsenieto de gálio e alumínio) (alxga1-xas) é um material semicondutor com quase mesma constante de rede como gaas, mas um bandgap maior. O x na fórmula acima é um número entre 0 e 1 - isto indica uma liga arbitrária entre gaas e ai. a fórmula algaas deve ser considerada uma forma abreviada do acima, em vez de qualquer proporção específica. O bandgap varia entre 1.42 ev (gaas) e 2.16 ev (alas). para x \u0026 lt; 0.4, o bandgap é direto. O índice de refração está relacionado com a banda através das relações kramers-kronig e varia entre 2,9 (x = 1) e 3,5 (x = 0). Isso permite a construção de espelhos bragg usados ​​em vcsels e rcleds.


q & a


q: estou à procura de algumas bolachas de gaas com uma pilha de algas / gaas / algaas personalizadas cultivadas em bolachas superiores de 2 \"e 3\" com cada epilayer com uma espessura de ordem de 1 micron si dopada na na na faixa de 10 ^ 17-10 ^ 18 / cm3 para as camadas gaas e barreiras,

com estequiometria al_xga_1-xas x ~ 0,3


a: sim, poderia ser fornecido


q: a citação que você nos deu foi para uma camada de 220nm de gaas em cima com uma espessura de 2μm de al_0.7 ga_0.3 como layer.we agora estamos interessados ​​em comprar uma camada de gaas de 250nm em cima de uma espessura de 3μm em_0.7 ga_0. 3 como camada. você poderia fabricar essas bolachas?

a: sim, poderíamos fornecer as duas bolachas acima.


Para mais informações, visite nosso site: http://www.semiconductorwafers.net ,

envie-nos e-mail para angel.ye@powerwaywafer.com ou powerwaymaterial@gmail.com .

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