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Caracterização da foto-voltagem da superfície das estruturas laser de poços quânticos de GaAs / AlGaAs crescidas por epitaxia por feixe molecular

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Caracterização da foto-voltagem da superfície das estruturas laser de poços quânticos de GaAs / AlGaAs crescidas por epitaxia por feixe molecular

2018-09-20

Apresentamos medidas de foto-voltagem de superfície (SPV) em feixes moleculares epitaxia (MBE) cresceram estruturas de poço quântico único (SQW). Cada camada na heteroestrutura foi identificada pela medição do sinal SPV após um processo de gravação química sequencial controlado. Esses resultados foram correlacionados com medidas de difração de raios X e fotoluminescência (PL) de alta resolução. O efeito Stark confinado quântico e a triagem de campo elétrico pelo transportador foram levados em consideração tanto teoricamente quanto experimentalmente para explicar as diferenças observadas nos resultados de SPV e PL. É mostrado que o SPV pode ser usado como uma ferramenta muito eficaz para a avaliação de heteroestruturas envolvendo múltiplas camadas.


Fonte: IOPscience


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